на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTD09N50DE6TA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXTD09N50DE6TA за ціною від 27.34 грн до 119.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 338500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN |
на замовлення 2029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA |
|
на замовлення 238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTD09N50DE6TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R |
товару немає в наявності |