Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTD09N50DE6TA
ZXTD09N50DE6TA

ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated

ZXTD09N50DE6.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.06 грн
6000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A.

Інші пропозиції ZXTD09N50DE6TA за ціною від 27.86 грн до 102.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Zetex 38383619928039304zxtd09n50de6.pdf Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 10026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.06 грн
10+62.17 грн
100+41.43 грн
500+30.55 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA DIODES INC. ZXTD09N50DE6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA DIODES INC. ZXTD09N50DE6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA 38383619928039304zxtd09n50de6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 10026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.06 грн
10+62.17 грн
100+41.43 грн
500+30.55 грн
1000+27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.