Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції ZXTD4591E6TA за ціною від 13.72 грн до 74.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTD4591E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 1.1W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTD4591E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 1.1W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 16570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTD4591E6TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 60V NPN/PNP |
на замовлення 8140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTD4591E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 WtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
ZXTD4591E6TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 60 V, 60 V, 1 A, 1 A, 1.1 WtariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 150MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: No Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |



