ZXTD619MCTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 50V 4A W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.78 грн |
| 6000+ | 20.31 грн |
| 9000+ | 19.48 грн |
| 15000+ | 17.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTD619MCTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTD619MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 4 A, 1.7 W, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN3020B, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.7W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTD619MCTA за ціною від 19.11 грн до 96.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTD619MCTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTD619MCTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD619MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTD619MCTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 50V 4A W-DFN3020-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 |
на замовлення 16675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTD619MCTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTD619MCTA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTD619MCTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE |
на замовлення 17403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTD619MCTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTD619MCTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ZXTD619MCTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 4A; 2.45W; DFN3020B-8 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 2.45W Case: DFN3020B-8 Pulsed collector current: 6A Current gain: 40...450 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...165MHz |
товару немає в наявності |