Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTN19020DGTA
ZXTN19020DGTA

ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated

ZXTN19020DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 9A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.45 грн
10+58.04 грн
100+38.42 грн
500+28.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 9A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTN19020DGTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated ZXTN19020DG.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA DIODES INC. ZXTN19020DG.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA DIODES INC. ZXTN19020DG.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
ZXTN19020DGTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
ZXTN19020DGTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
ZXTN19020DGTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.