ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated


ZXTN19020DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 9A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 450mA, 9A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.18 грн
10+64.99 грн
25+54.74 грн
50+45.41 грн
100+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 5.3W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 9A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXTN19020DGTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA Diodes Incorporated ZXTN19020DG.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA DIODES INC. DIOD-S-A0001068187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DGTA DIODES INC. DIOD-S-A0001068187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA DIOD-S-A0001068187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA DIOD-S-A0001068187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 9 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 130hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.3W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DGTA ZXTN19020DG.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.