ZXTN19020DZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2.4 W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 22.95 грн |
| 2000+ | 20.19 грн |
| 3000+ | 19.21 грн |
| 5000+ | 17.00 грн |
| 7000+ | 16.40 грн |
| 10000+ | 15.81 грн |
| 25000+ | 15.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN19020DZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27.8W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 7.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTN19020DZTA за ціною від 19.06 грн до 91.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTN19020DZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN19020DZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 27.8W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 7.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN19020DZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT-89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 35266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN19020DZTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXTN19020DZTA |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN19020DZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.96 грн |
| 500+ | 20.87 грн |
| ZXTN19020DZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN19020DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 7.5 A, 27.8 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27.8W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 7.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 70.48 грн |
| 19+ | 43.98 грн |
| 100+ | 28.96 грн |
| 500+ | 20.87 грн |
| ZXTN19020DZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2.4 W
Description: TRANS NPN 20V 7.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 375mA, 7.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 35266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.12 грн |
| 10+ | 47.77 грн |
| 100+ | 31.41 грн |
| 500+ | 22.87 грн |
| ZXTN19020DZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.07 грн |
| 10+ | 56.13 грн |
| 100+ | 32.14 грн |
| 500+ | 24.90 грн |
| 1000+ | 23.07 грн |
| 2000+ | 20.04 грн |
| 5000+ | 19.06 грн |




