ZXTN19100CGTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 23.78 грн |
| 2000+ | 20.95 грн |
| 3000+ | 19.95 грн |
| 5000+ | 17.67 грн |
| 7000+ | 17.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN19100CGTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN19100CGTA за ціною від 23.67 грн до 81.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
ZXTN19100CGTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 7538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
ZXTN19100CGTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
ZXTN19100CGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
ZXTN19100CGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
ZXTN19100CGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 25.18 грн |
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 25.91 грн |
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 100V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 430mV @ 550mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 7538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.59 грн |
| 10+ | 49.22 грн |
| 100+ | 32.44 грн |
| 500+ | 23.67 грн |
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN19100CGTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN19100CGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 5.5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)