Продукція > DIODES ZETEX > ZXTN2005GTA
ZXTN2005GTA

ZXTN2005GTA Diodes Zetex

536zxtn2005g.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2005GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTN2005GTA за ціною від 20.83 грн до 101.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+28.83 грн
2000+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Zetex 536zxtn2005g.pdf Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2005G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.15 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 150mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.27 грн
10+58.98 грн
100+39.06 грн
500+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2005G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2005GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.73 грн
14+63.52 грн
100+42.15 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA Виробник : DIODES/ZETEX ZXTN2005G.pdf NPN 7A 25V 3W 150MHz ZXTN2005G smd TZXTN2005g
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTN2005G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+33.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA Виробник : ZETEX ZXTN2005G.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Inc 536zxtn2005g.pdf Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Zetex 536zxtn2005g.pdf Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Zetex 536zxtn2005g.pdf Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2005GTA ZXTN2005GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2005G.pdf Bipolar Transistors - BJT 25V NPN Low Sat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.