Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTN2010A
ZXTN2010A

ZXTN2010A Diodes Incorporated

ZXTN2010A.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.91 грн
10+59.17 грн
100+41.24 грн
500+31.12 грн
1000+28.63 грн
4000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010A Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE, Packaging: Bulk, Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції ZXTN2010A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTN2010A Виробник : ZETEX ZXTN2010A.pdf 06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010A ZXTN2010A Виробник : Diodes Zetex zxtn2010a.pdf Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010A ZXTN2010A Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010A.pdf Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Bulk
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010A ZXTN2010A Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010A.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.