Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2010ASTZ Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: E-Line-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 710 mW.
Інші пропозиції ZXTN2010ASTZ за ціною від 26.91 грн до 98.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN2010ASTZ | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 710 mW |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTN2010ASTZ | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat |
на замовлення 2381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN2010ASTZ |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R
Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 710mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 37.76 грн |
| ZXTN2010ASTZ |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 710 mW
Description: TRANS NPN 60V 4.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 710 mW
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.53 грн |
| 10+ | 60.19 грн |
| 100+ | 40.08 грн |
| 500+ | 29.51 грн |
| 1000+ | 26.91 грн |
| ZXTN2010ASTZ |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)