
ZXTN2010GTA Diodes Zetex
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 17.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 21.37 грн до 109.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 267691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
на замовлення 833 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |