Продукція > DIODES ZETEX > ZXTN2010GTA
ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Diodes Zetex

5820512954904526zxtn2010g.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 18.80 грн до 106.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+23.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.00 грн
2000+23.83 грн
3000+22.72 грн
5000+20.16 грн
7000+19.47 грн
10000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.50 грн
2000+30.94 грн
3000+29.92 грн
5000+26.74 грн
7000+24.13 грн
10000+22.23 грн
25000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+35.12 грн
2000+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.26 грн
2000+32.76 грн
5000+31.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+37.69 грн
2000+33.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.25 грн
500+32.33 грн
1000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.99 грн
10+55.22 грн
100+36.58 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.99 грн
10+57.89 грн
100+34.16 грн
500+26.84 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.56 грн
13+66.54 грн
100+44.25 грн
500+32.33 грн
1000+29.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.