ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Diodes Zetex


5820512954904526zxtn2010g.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex

Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3 W.

Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 15.89 грн до 65.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.11 грн
2000+ 21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+31.78 грн
20+ 29.94 грн
25+ 24.86 грн
100+ 23.67 грн
250+ 21.41 грн
500+ 20.54 грн
1000+ 15.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
362+32.25 грн
436+ 26.78 грн
442+ 26.43 грн
452+ 24.9 грн
500+ 23.04 грн
1000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 362
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.9 грн
500+ 29.07 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.14 грн
15+ 38.89 грн
100+ 30.88 грн
500+ 27.05 грн
1000+ 19.89 грн
Мінімальне замовлення: 14
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+53.04 грн
10+ 36.35 грн
25+ 30.04 грн
28+ 29.13 грн
76+ 27.75 грн
250+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 5186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.75 грн
10+ 43.22 грн
100+ 33.62 грн
500+ 26.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.28 грн
10+ 48.55 грн
100+ 32.83 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 20.98 грн
2000+ 20.31 грн
10000+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.65 грн
6+ 45.3 грн
25+ 36.04 грн
28+ 34.96 грн
76+ 33.3 грн
250+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 6A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.89 грн
15+ 51.84 грн
100+ 36.9 грн
500+ 29.07 грн
1000+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Inc 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній