ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Diodes Incorporated


ZXTN2010G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+27.04 грн
2000+23.86 грн
3000+22.76 грн
5000+20.19 грн
7000+19.50 грн
10000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 20.74 грн до 106.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.32 грн
500+32.38 грн
1000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.12 грн
10+55.30 грн
100+36.64 грн
500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+57.98 грн
100+34.22 грн
500+26.88 грн
1000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Виробник : DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.72 грн
13+66.64 грн
100+44.32 грн
500+32.38 грн
1000+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.