ZXTN2010GTA Diodes Zetex
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-223-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 3 W.
Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 15.89 грн до 65.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 5186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 1.6W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1387 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 6A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 4Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |