ZXTN2010GTA Diodes Zetex
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 17.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 21.00 грн до 84.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 267000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat |
на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 267691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN2010GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |