Продукція > DIODES ZETEX > ZXTN2010GTA
ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Diodes Zetex

5820512954904526zxtn2010g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
398+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXTN2010GTA за ціною від 18.57 грн до 92.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.67 грн
2000+23.54 грн
3000+22.45 грн
5000+19.92 грн
7000+19.23 грн
10000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.28 грн
2000+31.64 грн
3000+30.61 грн
5000+27.35 грн
7000+24.68 грн
10000+22.73 грн
25000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.11 грн
2000+33.50 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.49 грн
2000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.55 грн
2000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.55 грн
100+36.14 грн
500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INCORPORATED ZXTN2010G.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.86 грн
10+59.70 грн
50+43.69 грн
100+37.89 грн
250+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Incorporated ZXTN2010G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA Diodes Zetex 5820512954904526zxtn2010g.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010GTA DIODES INC. ZXTN2010G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.67 грн
2000+23.54 грн
3000+22.45 грн
5000+19.92 грн
7000+19.23 грн
10000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+35.28 грн
2000+31.64 грн
3000+30.61 грн
5000+27.35 грн
7000+24.68 грн
10000+22.73 грн
25000+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.11 грн
2000+33.50 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.49 грн
2000+33.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+38.55 грн
2000+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 13129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.55 грн
100+36.14 грн
500+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.86 грн
10+59.70 грн
50+43.69 грн
100+37.89 грн
250+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Low Sat
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA 5820512954904526zxtn2010g.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN2010GTA ZXTN2010G.pdf
ZXTN2010GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2010GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 6 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.