ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated
                                                Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 1000+ | 32.64 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції ZXTN2010ZQTA за ціною від 28.11 грн до 127.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
            Доступність             | 
        Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : Diodes Zetex | 
            
                         Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101         | 
        
                             на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : DIODES INC. | 
            
                         Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
        
                             на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : Diodes Incorporated | 
            
                         Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W Qualification: AEC-Q101  | 
        
                             на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : Diodes Incorporated | 
            
                         Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor         | 
        
                             на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : DIODES INC. | 
            
                         Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
        
                             на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
        
            
  | 
    ||||||||||||||
| ZXTN2010ZQTA | Виробник : DIODES INCORPORATED | 
            
                         Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN  | 
        
                             на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | 
        
            
  | 
    |||||||||||||||
| 
             | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : Diodes Inc | 
            
                         Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        |||||||||||||||
                      | 
        ZXTN2010ZQTA | Виробник : Diodes Zetex | 
            
                         Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101         | 
        
                             товару немає в наявності                      | 
        


