ZXTN2010ZQTA

ZXTN2010ZQTA Diodes Zetex


zxtn2010z.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 400000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+30.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN2010ZQTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції ZXTN2010ZQTA за ціною від 24.22 грн до 86.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010Z.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 473000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+31.4 грн
2000+ 28.46 грн
5000+ 27.11 грн
10000+ 24.26 грн
25000+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.24 грн
500+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN2010Z.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A SOT89-3 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 230mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 474057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.15 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.79 грн
500+ 34.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006455639_1-2542775.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor
на замовлення 8212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.42 грн
10+ 63.26 грн
100+ 42.79 грн
500+ 36.28 грн
1000+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN2010ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 55hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+86.76 грн
13+ 67.22 грн
100+ 48.24 грн
500+ 37.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXTN2010ZQTA ZXTN2010ZQTA Виробник : Diodes Inc zxtn2010z.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній