ZXTN2011GTA Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 367+ | 10.45 грн |
| 500+ | 10.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2011GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN2011GTA за ціною від 18.55 грн до 91.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 25301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 367 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| ZXTN2011GTA |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.23 грн |
| 2000+ | 24.03 грн |
| 3000+ | 22.92 грн |
| 5000+ | 20.33 грн |
| 7000+ | 19.64 грн |
| 10000+ | 18.96 грн |
| 25000+ | 18.55 грн |
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.22 грн |
| 2000+ | 28.80 грн |
| 3000+ | 28.72 грн |
| 5000+ | 26.79 грн |
| 7000+ | 24.29 грн |
| 10000+ | 22.81 грн |
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 30.27 грн |
| 2000+ | 28.84 грн |
| 3000+ | 28.77 грн |
| 5000+ | 26.83 грн |
| 7000+ | 24.33 грн |
| 10000+ | 22.85 грн |
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.24 грн |
| 10+ | 55.69 грн |
| 100+ | 36.89 грн |
| 500+ | 27.04 грн |
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN2011GTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)