ZXTN2011GTA Diodes Zetex
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 367+ | 10.12 грн |
| 500+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2011GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN2011GTA за ціною від 20.43 грн до 114.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Inc |
 Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 25301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| ZXTN2011GTA |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
ZXTN2011GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |