ZXTN2011ZTA Diodes Zetex
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 23.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2011ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTN2011ZTA за ціною від 18.86 грн до 84.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 4.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 9505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Med Power |
на замовлення 1837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN2011ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2011ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 4.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ZXTN2011ZTA | Виробник : DIODES/ZETEX |
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTN2011ZTA TZXTN2011ZTA Diodes кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTN2011ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |