на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN2018FQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN2018FQTA за ціною від 15.90 грн до 86.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN2018FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2018FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2018FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 34340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN2018FQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor |
на замовлення 6504 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN2018FQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN2018FQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 5 A, 1.2 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTN2018FQTA | Виробник : Diodes Inc |
Pwr Low Sat Transistor SOT23 T&R 3K |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
ZXTN2018FQTA | Виробник : Diodes Zetex |
NPN Medium Power Transistor Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |