Технічний опис ZXTN25012EFLTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTN25012EFLTA за ціною від 5.01 грн до 51.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 97391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HG Trans. |
на замовлення 3596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
ZXTN25012EFLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1801+ | 7.84 грн |
| 2000+ | 7.06 грн |
| 3000+ | 5.01 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.18 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.73 грн |
| 6000+ | 10.33 грн |
| 9000+ | 9.84 грн |
| 15000+ | 8.72 грн |
| 21000+ | 8.41 грн |
| 30000+ | 8.11 грн |
| 75000+ | 7.78 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.51 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.51 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 372+ | 25.26 грн |
| 500+ | 19.17 грн |
| 1000+ | 17.24 грн |
| 3000+ | 13.44 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 559+ | 25.26 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 350 mW
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 97391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.03 грн |
| 10+ | 30.15 грн |
| 100+ | 19.39 грн |
| 500+ | 13.81 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HG Trans.
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HG Trans.
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN25012EFLTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





