на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 824+ | 6.30 грн |
| 1000+ | 5.67 грн |
| 3000+ | 4.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25012EFLTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN25012EFLTA за ціною від 4.39 грн до 56.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EFLTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 2A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 97391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HG Trans. |
на замовлення 17546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 370hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTN25012EFLTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EFLTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |