ZXTN25012EZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.91 грн |
| 2000+ | 13.91 грн |
| 3000+ | 13.19 грн |
| 5000+ | 11.62 грн |
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Технічний опис ZXTN25012EZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 6.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN25012EZTA за ціною від 15.95 грн до 56.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
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ZXTN25012EZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXTN25012EZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
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ZXTN25012EZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN25012EZTA |
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Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.96 грн |
| 10+ | 34.24 грн |
| 100+ | 22.19 грн |
| 500+ | 15.95 грн |
| ZXTN25012EZTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN25012EZTA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 6.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



