ZXTN25012EZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 16.96 грн |
| 2000+ | 14.83 грн |
| 3000+ | 14.06 грн |
| 5000+ | 12.39 грн |
| 7000+ | 11.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25012EZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 6.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN25012EZTA за ціною від 12.22 грн до 70.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 8656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 6.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 6.5A Case: SOT89 Current gain: 30...1500 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz |
товару немає в наявності |