ZXTN25040DFLTA Diodes Zetex
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25040DFLTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25040DFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Verstärkung, NPN, 40 V, 4 A, 350 mW, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 190MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTN25040DFLTA за ціною від 4.41 грн до 59.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN25040DFLTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25040DFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Verstärkung, NPN, 40 V, 4 A, 350 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 1.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 190MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 350 mW |
на замовлення 19305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 40V HG Tran. |
на замовлення 5824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25040DFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Verstärkung, NPN, 40 V, 4 A, 350 mW, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 190MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTN25040DFLTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 130V 1.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |