на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25100DFHTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN25100DFHTA за ціною від 12.76 грн до 77.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 164686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 164686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DFHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
на замовлення 6725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 16206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 1.25 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 2.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ZXTN25100DFHTA Код товару: 202436
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DFHTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |