ZXTN25100DGQTA

ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated


ZXTN25100DG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 23000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+23.93 грн
2000+ 21.69 грн
5000+ 20.66 грн
10000+ 18.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ZXTN25100DGQTA за ціною від 22 грн до 71.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.2 W
на замовлення 24011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.3 грн
10+ 42.93 грн
100+ 33.37 грн
500+ 26.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.49 грн
10+ 50.13 грн
100+ 33.95 грн
500+ 28.47 грн
1000+ 22.79 грн
2000+ 22 грн
Мінімальне замовлення: 6
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+71.35 грн
14+ 53.2 грн
100+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Inc 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Виробник : Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній