Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTN25100DGQTA
ZXTN25100DGQTA

ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+27.04 грн
2000+23.87 грн
3000+22.76 грн
5000+20.19 грн
7000+19.50 грн
10000+18.83 грн
25000+18.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTN25100DGQTA за ціною від 26.86 грн до 91.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 98981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.24 грн
10+55.32 грн
100+36.64 грн
500+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DGQTA DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DG.pdf
ZXTN25100DGQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 98981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.24 грн
10+55.32 грн
100+36.64 грн
500+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA ZXTN25100DG.pdf
ZXTN25100DGQTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN25100DGQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGQTA DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN25100DGQTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.