ZXTN25100DGQTA Diodes Zetex
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 25.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25100DGQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTN25100DGQTA за ціною від 20.79 грн до 105.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 97000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 98986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 5.3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |