Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTN25100DGTA
ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated

ZXTN25100DG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.54 грн
2000+15.37 грн
3000+14.59 грн
5000+12.87 грн
7000+12.39 грн
10000+11.92 грн
25000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXTN25100DGTA за ціною від 17.55 грн до 62.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 114042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.35 грн
10+37.36 грн
100+24.31 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated ZXTN25100DG.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA Diodes Zetex 40916327376784400zxtn25100dg.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DGTA DIODES INC. DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DG.pdf
ZXTN25100DGTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 114042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.35 грн
10+37.36 грн
100+24.31 грн
500+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA ZXTN25100DG.pdf
ZXTN25100DGTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN25100DGTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA 40916327376784400zxtn25100dg.pdf
ZXTN25100DGTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DGTA DIOD-S-A0001056291-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTN25100DGTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.