ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 86000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.99 грн |
| 2000+ | 13.72 грн |
| 5000+ | 12.99 грн |
| 10000+ | 11.29 грн |
| 25000+ | 11.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25100DGTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ZXTN25100DGTA за ціною від 12.02 грн до 39.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 3662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 3A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 600mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 86890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN |
на замовлення 27534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
ZXTN25100DGTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 100V 3A 5300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |