ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated


ZXTN25100DZ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3
Power - Max: 2.4 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 175MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.80 грн
2000+13.82 грн
3000+13.10 грн
5000+11.55 грн
7000+11.10 грн
10000+10.67 грн
25000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.46W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTN25100DZTA за ціною від 15.84 грн до 56.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA Diodes Zetex 2252422206114518zxtn25100dz.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated ZXTN25100DZ.pdf Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 45077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+34.02 грн
100+22.04 грн
500+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA Diodes Incorporated ZXTN25100DZ.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA DIODES INC. DIOD-S-A0003133172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA Diodes Zetex 2252422206114518zxtn25100dz.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZTA DIODES INC. DIOD-S-A0003133172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA 2252422206114518zxtn25100dz.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 2.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 345mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 45077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+34.02 грн
100+22.04 грн
500+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA ZXTN25100DZ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V HIGH GAIN
на замовлення 10330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA DIOD-S-A0003133172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA 2252422206114518zxtn25100dz.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 2.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DZTA DIOD-S-A0003133172-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN25100DZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2.5 A, 4.46 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.46W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.