на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN4004KTC Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ZXTN4004KTC за ціною від 6.92 грн до 55.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN4004KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.8W euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 1A 3800mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN4004KTC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 3.8 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.8W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN4004KTC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 3.8W; DPAK,TO252 Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 3.8W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 2500pcs. |
на замовлення 1925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 150V 1A TO-252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 250mV Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3.8 W |
на замовлення 36403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN4004KTC | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Transistor LED Drive TO252 T&R 2.5K |
на замовлення 17515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|