Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN5551FLTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ZXTN5551FLTA за ціною від 4.70 грн до 26.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTN5551FLTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 1417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTN5551FLTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A |
на замовлення 14075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ZXTN5551FLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXTN5551FLTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXTN5551FLTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.70 грн |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 1417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.29 грн |
| 19+ | 15.71 грн |
| 100+ | 9.90 грн |
| 500+ | 6.90 грн |
| 1000+ | 6.12 грн |
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
на замовлення 14075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTN5551FLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN5551FLTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)