ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA Diodes Zetex


zxtn5551g.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 157000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1200+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 1200
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN5551GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 30, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції ZXTN5551GTA за ціною від 8.08 грн до 37.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1200+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 1200
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+11.53 грн
2000+ 9.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.42 грн
2000+ 10.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.61 грн
12+ 24.27 грн
100+ 16.86 грн
500+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.86 грн
12+ 27.02 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.75 грн
1000+ 8.55 грн
2000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : DIODES INC. DIODS15664-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.97 грн
24+ 31.38 грн
100+ 20.9 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Inc zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній