Продукція > DIODES ZETEX > ZXTN5551GTA
ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA Diodes Zetex

zxtn5551g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN5551GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXTN5551GTA за ціною від 8.23 грн до 52.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1715+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.58 грн
10+31.35 грн
100+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA DIODES INC. ZXTN5551G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA DIODES INC. ZXTN5551G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Diodes Zetex zxtn5551g.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1715+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1200+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1200+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.58 грн
10+31.35 грн
100+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA ZXTN5551G.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN5551GTA zxtn5551g.pdf
ZXTN5551GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.