ZXTN5551GTA Diodes Zetex
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1715+ | 7.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN5551GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN5551GTA за ціною від 7.74 грн до 56.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 97000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN5551GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN5551GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN |
на замовлення 2216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 2 W |
товару немає в наявності |