ZXTN5551GTA

ZXTN5551GTA Diodes Incorporated


ZXTN5551G.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160V 600mA NPN
на замовлення 2216 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.32 грн
11+31.08 грн
100+17.81 грн
500+14.04 грн
1000+11.87 грн
2000+10.82 грн
5000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN5551GTA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 130MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції ZXTN5551GTA за ціною від 20.48 грн до 53.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTN5551GTA ZXTN5551GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN5551G.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.42 грн
10+31.85 грн
100+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.