ZXTN5551ZTA Diodes Zetex
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 8.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN5551ZTA Diodes Zetex
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 130MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 1.2 W.
Інші пропозиції ZXTN5551ZTA за ціною від 7.42 грн до 52.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A |
на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTN5551ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN5551ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 1.2 W |
товару немає в наявності |