ZXTN618MATA Diodes Incorporated


ZXTN618MA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.82 грн
6000+11.72 грн
9000+10.88 грн
30000+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN618MATA Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 25nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: DFN2020B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 1.5 W.

Інші пропозиції ZXTN618MATA за ціною від 12.96 грн до 38.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTN618MATA ZXTN618MATA Diodes Incorporated ZXTN618MA.pdf Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 269984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+31.26 грн
100+21.76 грн
500+15.95 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATA ZXTN618MATA Diodes Incorporated ZXTN618MA.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATA ZXTN618MA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 4.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 269984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
10+31.26 грн
100+21.76 грн
500+15.95 грн
1000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN618MATA ZXTN618MA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.