на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN619MATA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: UDFN2020, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 165MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN619MATA за ціною від 10.55 грн до 68.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 1032000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2439000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 2439000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN619MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 287086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 59706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
ZXTN619MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |