Інші пропозиції ZXTN619MATA за ціною від 11.34 грн до 66.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTN619MATA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTN619MATA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 80455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTN619MATA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZXTN619MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZXTN619MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZXTN619MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: UDFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 165MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.05 грн |
| 6000+ | 14.23 грн |
| 9000+ | 13.60 грн |
| 15000+ | 12.11 грн |
| 21000+ | 11.72 грн |
| 30000+ | 11.34 грн |
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 50V 4A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 80455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 66.20 грн |
| 10+ | 39.58 грн |
| 100+ | 25.76 грн |
| 500+ | 18.59 грн |
| 1000+ | 16.79 грн |
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 50V 4.3A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN619MATA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN619MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 165MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| TPS40210DRCR Код товару: 218447
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LM51551DSSR Код товару: 218444
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ADS131A04IPBS мікросхема Код товару: 214039
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LTR-516AD Код товару: 125297
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SFH203PFA Код товару: 124243
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Osram
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Напруга колектор-емітер Vceo, В: 50 В
Спектральний діапазон 0.5, нм: 750-1100 нм
Спектральний пік, нм: 900 нм
Час наростання/спаду Ton/Tof, мкс: 0,005/0,005 µc
Додатково: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
Оптоелектроніка > Фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори
Напруга колектор-емітер Vceo, В: 50 В
Спектральний діапазон 0.5, нм: 750-1100 нм
Спектральний пік, нм: 900 нм
Час наростання/спаду Ton/Tof, мкс: 0,005/0,005 µc
Додатково: Фотодіод, чорна зрізана лінза, 5 мм
Тип: Фотодіод
у наявності: 22 шт
- 10 шт - склад
- 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |






