ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.00 грн |
| 6000+ | 11.49 грн |
| 9000+ | 10.96 грн |
| 15000+ | 9.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45W, Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTN620MATA за ціною від 11.73 грн до 63.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN620MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 Package / Case: 3-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Supplier Device Package: DFN2020B-3 Frequency - Transition: 160MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 25nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 20872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|