ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.85 грн |
| 6000+ | 11.36 грн |
| 9000+ | 10.84 грн |
| 15000+ | 9.62 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN620MATA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45W, Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTN620MATA за ціною від 12.22 грн до 53.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN620MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 20872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTN620MATA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ZXTN620MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.18 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.82 грн |
| 6000+ | 14.80 грн |
| 15000+ | 13.78 грн |
| 30000+ | 12.59 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.82 грн |
| 6000+ | 14.80 грн |
| 9000+ | 13.78 грн |
| 24000+ | 12.22 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.43 грн |
| 6000+ | 16.27 грн |
| 9000+ | 15.83 грн |
| 15000+ | 14.74 грн |
| 21000+ | 13.20 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 16.46 грн |
| 6000+ | 16.29 грн |
| 9000+ | 15.86 грн |
| 15000+ | 14.77 грн |
| 21000+ | 13.22 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DFN2020B-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 20872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.59 грн |
| 10+ | 32.31 грн |
| 100+ | 20.92 грн |
| 500+ | 15.00 грн |
| 1000+ | 13.51 грн |
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTN620MATA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.45W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)