на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN620MATA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.45W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTN620MATA за ціною від 10.53 грн до 56.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 417000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN620MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 80V 3.5A DFN2020B-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DFN2020B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 419965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 12141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN620MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.45W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTN620MATA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 80V 3.8A 2450mW 3-Pin DFN EP T/R |
товару немає в наявності |