ZXTP03200BGTA Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 32.62 грн |
| 7000+ | 29.80 грн |
| 14000+ | 27.73 грн |
| 21000+ | 25.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP03200BGTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 5.8W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ZXTP03200BGTA за ціною від 27.01 грн до 79.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Power - Max: 1.25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 105MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 26545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP03200BGTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 5.8W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.68 грн |
| 2000+ | 34.33 грн |
| 5000+ | 34.12 грн |
| 10000+ | 32.81 грн |
| 25000+ | 29.73 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.95 грн |
| 2000+ | 31.68 грн |
| 5000+ | 30.17 грн |
| 10000+ | 27.01 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.97 грн |
| 7000+ | 31.96 грн |
| 14000+ | 29.74 грн |
| 21000+ | 27.04 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.81 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 200V 2A 5800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 38.81 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.91 грн |
| 10+ | 62.70 грн |
| 100+ | 48.74 грн |
| 500+ | 38.77 грн |
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V
на замовлення 1391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTP03200BGTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 5.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)