ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 105MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 34.70 грн |
| 2000+ | 31.46 грн |
| 5000+ | 29.96 грн |
| 10000+ | 26.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP03200BGTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTP03200BGTA за ціною від 27.86 грн до 100.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP03200BGTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 26545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTP03200BGTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic Vceo -200V |
на замовлення 1391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP03200BGTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BGTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 5.8 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|