ZXTP03200BZTA Diodes Inc
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 24.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP03200BZTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38.7W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 105MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTP03200BZTA за ціною від 23.18 грн до 96.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 61000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.1 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP03200BZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 200V 2A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 105MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 1.1 W |
на замовлення 7376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 200V PNP Low Vce 2A Ic 160mV Vce 2.4W |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP03200BZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 38.7 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 38.7W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 105MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP03200BZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |