на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP07012EFFTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTP07012EFFTA за ціною від 12.20 грн до 70.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 101914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP07012EFFTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 80mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-23F Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 103466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP07012EFFTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP07012EFFTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2 W, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 230hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23F Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP07012EFFTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R |
товару немає в наявності |