ZXTP2008ZTA Diodes Zetex
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 27.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2008ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTP2008ZTA за ціною від 18.68 грн до 109.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP2008ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2008ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2008ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 47421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2008ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2008ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 5.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXTP2008ZTA PNP SMD transistors |
на замовлення 790 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
ZXTP2008ZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
ZXTP2008ZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 30V 5.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| ZXTP2008ZTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |