Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTP2008ZTA
ZXTP2008ZTA

ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated

ZXTP2008Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+25.19 грн
2000+22.21 грн
3000+21.16 грн
5000+18.76 грн
7000+18.10 грн
10000+17.47 грн
25000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 5.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXTP2008ZTA за ціною від 25.05 грн до 132.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 51121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.85 грн
100+34.26 грн
500+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.49 грн
13+63.97 грн
100+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA ZXTP2008ZTA Diodes Incorporated ZXTP2008Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2008ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA ZXTP2008Z.pdf
ZXTP2008ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 30V 5.5A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 175mV @ 500mA, 5.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 51121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.44 грн
10+51.85 грн
100+34.26 грн
500+25.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA DIOD-S-A0003615448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2008ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2008ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 5.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 5.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+132.49 грн
13+63.97 грн
100+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2008ZTA ZXTP2008Z.pdf
ZXTP2008ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 30V PNP Low Sat
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.