Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > ZXTP2009ZTA

ZXTP2009ZTA

Код товару: 142698

Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Інші пропозиції ZXTP2009ZTA

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
ZXTP2009ZTA	Diodes Incorporated	Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat	на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXTP2009ZTA	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
ZXTP2009ZTA	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 152MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	на замовлення 3270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

ZXTP2009ZTA

Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 40V PNP Low Sat

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXTP2009ZTA

DIOD-S-A0011626012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2009ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 5.5 A, 3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 152MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 3270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

ZXTP2009ZTA

на замовлення 3270 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.