Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTP2012ASTZ
ZXTP2012ASTZ

ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated

ZXTP2012A.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+37.13 грн
4000+33.19 грн
6000+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3.5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXTP2012ASTZ за ціною від 31.34 грн до 109.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Виробник : DIODES INC. DIODS11297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.71 грн
13+68.75 грн
100+55.46 грн
500+47.05 грн
1000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Виробник : Diodes Incorporated ZXTP2012A.pdf Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+68.82 грн
100+53.54 грн
500+42.59 грн
1000+34.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Виробник : Diodes Incorporated ZXTP2012A.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.00 грн
10+79.70 грн
100+47.38 грн
500+42.45 грн
1000+36.64 грн
2000+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Виробник : Diodes Zetex zxtp2012a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Виробник : Diodes Inc zxtp2012a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.