Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTP2012ASTZ
ZXTP2012ASTZ

ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated

ZXTP2012A.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+35.91 грн
4000+32.10 грн
6000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTP2012ASTZ за ціною від 33.55 грн до 84.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Diodes Zetex zxtp2012a.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated ZXTP2012A.pdf Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.67 грн
10+66.56 грн
100+51.78 грн
500+41.19 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated ZXTP2012A.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ DIODES INC. ZXTP2012A.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ zxtp2012a.pdf
ZXTP2012ASTZ
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+48.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012A.pdf
ZXTP2012ASTZ
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.67 грн
10+66.56 грн
100+51.78 грн
500+41.19 грн
1000+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012A.pdf
ZXTP2012ASTZ
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
на замовлення 4112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ASTZ ZXTP2012A.pdf
ZXTP2012ASTZ
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: E-Line
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.