ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 38.54 грн |
| 4000+ | 34.45 грн |
| 6000+ | 33.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2012ASTZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: E-Line, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTP2012ASTZ за ціною від 30.33 грн до 138.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP2012ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3.5A E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 3928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP2012ASTZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ASTZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3.5 A, 1 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 65hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: E-Line Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP2012ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN |
на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP2012ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
ZXTP2012ASTZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 3.5A 1000mW 3-Pin E-Line T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| ZXTP2012ASTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; unipolar; 60V; 3.5A; 1W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: unipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Pulsed collector current: 15A Current gain: 10...300 Mounting: THT Quantity in set/package: 2000pcs. Frequency: 120MHz |
товару немає в наявності |