ZXTP2012GTA Diodes Zetex
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 26.59 грн |
| 2000+ | 24.76 грн |
| 3000+ | 24.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2012GTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ZXTP2012GTA за ціною від 22.04 грн до 119.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 311000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 245000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTP2012GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat |
на замовлення 6946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 99384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Виробник : DIODES/ZETEX |
PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| ZXTP2012GTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
ZXTP2012GTA PNP SMD transistors |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
ZXTP2012GTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |