Продукція > DIODES ZETEX > ZXTP2012GTA
ZXTP2012GTA

ZXTP2012GTA Diodes Zetex

6742712845071750zxtp2012g.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.28 грн
5000+25.09 грн
7000+23.00 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2012GTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTP2012GTA за ціною від 20.07 грн до 97.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Zetex 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.67 грн
2000+26.54 грн
3000+26.28 грн
5000+25.09 грн
7000+23.00 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 898000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.82 грн
2000+25.44 грн
3000+24.26 грн
5000+21.52 грн
7000+20.79 грн
10000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Zetex 6742712845071750zxtp2012g.pdf Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 263000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INCORPORATED ZXTP2012g.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.33 грн
10+56.55 грн
100+37.64 грн
250+33.16 грн
500+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 898508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.64 грн
10+58.95 грн
100+39.05 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA Diodes Incorporated ZXTP2012G.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INC. DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012GTA DIODES INC. ZXTP2012G.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA DIODES/ZETEX ZXTP2012G.pdf PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA 6742712845071750zxtp2012g.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+26.67 грн
2000+26.54 грн
3000+26.28 грн
5000+25.09 грн
7000+23.00 грн
10000+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 898000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+28.82 грн
2000+25.44 грн
3000+24.26 грн
5000+21.52 грн
7000+20.79 грн
10000+20.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA 6742712845071750zxtp2012g.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 263000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012g.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; 1.6W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT223
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.33 грн
10+56.55 грн
100+37.64 грн
250+33.16 грн
500+32.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5.5A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 898508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.64 грн
10+58.95 грн
100+39.05 грн
500+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA DIOD-S-A0002833564-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2012GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
ZXTP2012GTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 1.6 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012GTA ZXTP2012G.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
PNP 5.5A 60V 3W 120MHz ZXTN2012G TZXTP2012g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+30.81 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.