ZXTP2012ZQTA

ZXTP2012ZQTA DIODES INC.


DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.29 грн
500+34.09 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2012ZQTA DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ZXTP2012ZQTA за ціною від 25.28 грн до 97.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.99 грн
14+60.66 грн
100+43.29 грн
500+34.09 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.11 грн
10+59.05 грн
100+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA Виробник : Diodes Zetex zxtp2012z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZQTA ZXTP2012ZQTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.