ZXTP2012ZQTA Diodes Zetex
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 28.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2012ZQTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTP2012ZQTA за ціною від 23.13 грн до 83.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXTP2012ZQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 349000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2012ZQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2012ZQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 349000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP2012ZQTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 1K |
на замовлення 1805 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2012ZQTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZQTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4.3 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXTP2012ZQTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
ZXTP2012ZQTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |