ZXTP2012ZTA Diodes Inc
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2012ZTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTP2012ZTA за ціною від 17.57 грн до 69.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 157000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 8464000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 8465646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat |
на замовлення 20463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 4.3A Power dissipation: 1.5W Case: SOT89 Current gain: 10...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ZXTP2012ZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |