Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTP2012ZTA
ZXTP2012ZTA

ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated

ZXTP2012Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 4.3A SOT-89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 215mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.07 грн
10+50.73 грн
25+42.60 грн
50+35.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4.3A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ZXTP2012ZTA за ціною від 26.41 грн до 86.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA DIODES INCORPORATED zxtp2012z.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+86.21 грн
10+50.01 грн
25+41.02 грн
50+35.73 грн
100+31.44 грн
125+30.29 грн
200+28.06 грн
250+27.07 грн
500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA Diodes Incorporated ZXTP2012Z.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 61333 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA ZXTP2012ZTA DIODES INC. DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA DIODES/ZETEX ZXTP2012Z.pdf Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA zxtp2012z.pdf
ZXTP2012ZTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 4.3A; 1.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4.3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89
Pulsed collector current: 15A
Current gain: 10...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 979 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+86.21 грн
10+50.01 грн
25+41.02 грн
50+35.73 грн
100+31.44 грн
125+30.29 грн
200+28.06 грн
250+27.07 грн
500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA ZXTP2012Z.pdf
ZXTP2012ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Low Sat
на замовлення 61333 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2012ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA DIOD-S-A0006455671-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP2012ZTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2012ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4.3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4.3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP2012ZTA ZXTP2012Z.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT PNP 60V 4.3A 2100mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R ZXTP2012ZTA TZXTP2012ZTA Diodes
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.