ZXTP2013ZTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3
Power - Max: 2.1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 26.27 грн |
| 2000+ | 22.53 грн |
| 5000+ | 21.34 грн |
| 10000+ | 18.54 грн |
| 25000+ | 18.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP2013ZTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 3.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 125MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції ZXTP2013ZTA за ціною від 23.78 грн до 61.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 68269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Low Sat |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
ZXTP2013ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3.5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 125MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXTP2013ZTA |
|
на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.05 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.05 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.05 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.05 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 27.05 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 402+ | 35.16 грн |
| 406+ | 34.81 грн |
| 441+ | 32.02 грн |
| 446+ | 30.56 грн |
| 509+ | 24.77 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.62 грн |
| 22+ | 35.16 грн |
| 25+ | 34.81 грн |
| 100+ | 30.87 грн |
| 250+ | 28.30 грн |
| 500+ | 23.78 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS PNP 100V 3.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 68269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.85 грн |
| 10+ | 51.37 грн |
| 100+ | 35.57 грн |
| 500+ | 27.89 грн |
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Low Sat
Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Low Sat
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTP2013ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - ZXTP2013ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3.5 A, 2.1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





