ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.30 грн |
| 6000+ | 15.34 грн |
| 9000+ | 14.67 грн |
| 15000+ | 13.06 грн |
| 21000+ | 12.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 1.81W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ZXTP25012EFHTA за ціною від 18.09 грн до 71.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP25012EFHTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 47668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ZXTP25012EFHTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.81W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
ZXTP25012EFHTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
на замовлення 5138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
ZXTP25012EFHTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.81W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTP25012EFHTA |
|
на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ZXTP25012EFHTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 47668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.13 грн |
| 10+ | 42.59 грн |
| 100+ | 27.73 грн |
| 500+ | 20.02 грн |
| 1000+ | 18.09 грн |
| ZXTP25012EFHTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTP25012EFHTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTP25012EFHTA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.81W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)