ZXTP25012EFHTA

ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated


ZXTP25012EFH.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.37 грн
6000+17.18 грн
9000+16.43 грн
15000+14.62 грн
21000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP25012EFHTA Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.81W, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ZXTP25012EFHTA за ціною від 14.41 грн до 79.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFHTA Виробник : DIODES INC. ZXTP25012EFH.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.81W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.35 грн
500+19.93 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFHTA Виробник : DIODES INC. ZXTP25012EFH.pdf Description: DIODES INC. - ZXTP25012EFHTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 1.81 W, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.81W
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 310MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+74.62 грн
20+46.51 грн
100+30.35 грн
500+19.93 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFHTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP25012EFH.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.13 грн
10+47.31 грн
100+26.81 грн
500+20.65 грн
1000+18.65 грн
3000+14.49 грн
6000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFHTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP25012EFH.pdf Description: TRANS PNP 12V 4A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 310MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 47668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.66 грн
10+47.69 грн
100+31.05 грн
500+22.42 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFH.pdf
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25012EFHTA ZXTP25012EFHTA Виробник : Diodes Inc zxtp25012efh.pdf Trans GP BJT PNP 12V 4A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.