ZXTP25012EZTA Diodes Zetex
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 13.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP25012EZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 310MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ZXTP25012EZTA за ціною від 12.83 грн до 73.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 12V 4.5A SOT-89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 285mV @ 450mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 310MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 5222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXTP25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 310MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 12V HIGH GAIN |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
ZXTP25012EZTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 12V 4.5A 19200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товару немає в наявності |