ZXTP5401GTA

ZXTP5401GTA DIODES INC.


DIODS12388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.22 грн
500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP5401GTA DIODES INC.

Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції ZXTP5401GTA за ціною від 9.78 грн до 54.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP5401G.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 600mA
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.10 грн
12+29.78 грн
100+18.02 грн
500+14.05 грн
1000+11.33 грн
2000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : DIODES INC. DIODS12388-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP5401GTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.71 грн
26+32.52 грн
100+20.22 грн
500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP5401G.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.12 грн
10+32.42 грн
100+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTP5401G.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : Diodes Inc zxtp5401g.pdf Trans GP BJT PNP 150V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP5401GTA ZXTP5401GTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTP5401G.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 50...240
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.