Технічний опис ZXTP5401ZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTP5401ZTA за ціною від 9.23 грн до 43.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 44000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3Supplier Device Package: SOT-89-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 1.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Part Status: Active |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
ZXTP5401ZTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A |
на замовлення 724 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
ZXTP5401ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
ZXTP5401ZTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 9.41 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 9.41 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.57 грн |
| 5000+ | 9.47 грн |
| 10000+ | 9.23 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 9.57 грн |
| 5000+ | 9.47 грн |
| 10000+ | 9.23 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 14.51 грн |
| 3000+ | 13.26 грн |
| 6000+ | 12.33 грн |
| 9000+ | 11.21 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-89-3
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.30 грн |
| 12+ | 25.98 грн |
| 100+ | 16.60 грн |
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTP5401ZTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: DIODES INC. - ZXTP5401ZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






