ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.15 грн |
| 6000+ | 10.20 грн |
| 9000+ | 9.47 грн |
| 30000+ | 8.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції ZXTP56060FDBQ-7 за ціною від 10.27 грн до 36.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 38700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 60V Dual PNP Transistor |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXTP56060FDBQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
60V DUAL PNP LOW TRANSISTOR |
товару немає в наявності |