Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXTP56060FDBQ-7
ZXTP56060FDBQ-7

ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated

ZXTP56060FDBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.03 грн
6000+10.08 грн
9000+9.36 грн
30000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTP56060FDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 510mW, Current - Collector (Ic) (Max): 2A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXTP56060FDBQ-7 за ціною від 10.16 грн до 36.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXTP56060FDBQ-7 ZXTP56060FDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated ZXTP56060FDBQ.pdf Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 510mW
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.18 грн
12+26.99 грн
100+18.72 грн
500+13.72 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP56060FDBQ-7 ZXTP56060FDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865557_1-2543448.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V Dual PNP Transistor
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.23 грн
11+30.79 грн
100+19.96 грн
500+15.75 грн
1000+12.12 грн
3000+11.10 грн
9000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP56060FDBQ-7 Виробник : Diodes Inc zxtp56060fdbq.pdf 60V DUAL PNP LOW TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.