ZXTP717MATA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 4.5A U-DFN2020-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 3 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.57 грн |
| 10+ | 33.95 грн |
| 100+ | 21.92 грн |
| 500+ | 15.72 грн |
| 1000+ | 14.16 грн |
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Технічний опис ZXTP717MATA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 2.45W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції ZXTP717MATA
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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ZXTP717MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ZXTP717MATA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN |
на замовлення 7794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ZXTP717MATA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2.45W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 110MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| ZXTP717MATA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 2.45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ZXTP717MATA |
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Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
на замовлення 7794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| ZXTP717MATA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 2.45W
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - ZXTP717MATA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 4 A, 2.45 W, DFN2020, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)