Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (5889) > Сторінка 98 з 99

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 93 94 95 96 97 98 99  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Мікросхема SPF-5122Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z Qorvo ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM Qorvo ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM Qorvo Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM Qorvo ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM Qorvo ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092 Qorvo ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093 Qorvo ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185 Qorvo InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007 Qorvo ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009 Qorvo ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523 Qorvo ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101 Qorvo ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103 Qorvo ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104 Qorvo ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.75 грн
5+436.18 грн
10+416.62 грн
50+368.69 грн
100+293.51 грн
250+288.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S QORVO 3750931.pdf Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.82 грн
5+1246.58 грн
10+1158.53 грн
50+1031.11 грн
100+910.57 грн
250+869.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.58 грн
5+290.24 грн
10+283.72 грн
50+256.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+386.45 грн
5+361.18 грн
10+335.90 грн
50+280.87 грн
100+223.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.76 грн
5+566.63 грн
10+526.68 грн
50+467.86 грн
100+412.31 грн
250+392.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1059.88 грн
5+1013.41 грн
10+967.75 грн
50+855.48 грн
100+681.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.59 грн
10+109.25 грн
100+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S QORVO 3750932.pdf Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.64 грн
5+491.62 грн
10+468.79 грн
50+414.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1900.45 грн
5+1776.53 грн
10+1652.60 грн
50+1429.33 грн
100+1222.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.33 грн
10+164.69 грн
100+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO UF4C120070K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1219.68 грн
5+1067.22 грн
10+884.59 грн
50+736.62 грн
100+627.54 грн
250+585.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3833.51 грн
5+3354.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO UF3C170400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.85 грн
5+532.39 грн
10+508.74 грн
50+449.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.87 грн
5+452.49 грн
10+432.11 грн
50+382.31 грн
100+303.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+361.18 грн
5+345.68 грн
10+329.38 грн
50+291.47 грн
100+232.01 грн
250+219.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO 3971386.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1264.52 грн
5+1181.36 грн
10+1098.20 грн
50+979.63 грн
100+867.94 грн
250+830.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO 3750922.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.05 грн
10+123.92 грн
100+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.52 грн
5+405.20 грн
10+366.88 грн
50+305.09 грн
100+239.70 грн
250+224.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S UF3C120150B7S QORVO 3971395.pdf Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.64 грн
5+480.21 грн
10+445.97 грн
50+399.73 грн
100+356.40 грн
250+343.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS UJ3D06516TS QORVO 3750926.pdf Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.28 грн
10+246.22 грн
100+211.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S UJ4SC075018L8S QORVO 3971391.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.95 грн
5+1224.57 грн
10+1205.00 грн
50+1100.01 грн
100+998.62 грн
250+981.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S QORVO UJ4C075023K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1065.59 грн
5+1019.12 грн
10+971.83 грн
50+859.26 грн
100+702.32 грн
250+688.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 UJ3D1250K2 QORVO 3971408.pdf Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1745.54 грн
5+1669.72 грн
10+1593.08 грн
50+1408.89 грн
100+1122.31 грн
250+1025.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD UJ3D1220KSD QORVO 3750919.pdf Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+715.01 грн
5+684.03 грн
10+653.05 грн
50+577.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 UJ3D1725K2 QORVO 3971409.pdf Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1130.81 грн
5+1081.90 грн
10+1032.16 грн
50+913.01 грн
100+727.48 грн
250+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S UJ3N120065K3S QORVO 3971404.pdf Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1126.74 грн
5+1053.36 грн
10+979.17 грн
50+841.09 грн
100+670.17 грн
250+616.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS UJ3D1205TS QORVO 3750915.pdf Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.87 грн
10+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S QORVO UF4C120053K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.29 грн
5+803.88 грн
10+793.28 грн
50+726.02 грн
100+661.09 грн
250+651.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S QORVO UJ4C075044K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+734.58 грн
5+702.78 грн
10+670.99 грн
50+593.53 грн
100+487.08 грн
250+477.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S QORVO UJ4C075018K3S-D.PDF Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1308.55 грн
5+1251.48 грн
10+1193.59 грн
50+1055.34 грн
100+840.68 грн
250+828.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S UJ4C075023B7S QORVO 3971387.pdf Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1025.64 грн
5+958.79 грн
10+891.93 грн
50+795.67 грн
100+704.41 грн
250+674.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QM33120WDK1 QM33120WDK1 QORVO 4509032.pdf Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
IC-Funktion: Multiprotocol System-on-Chip, RF Transceiver
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
usEccn: EAR99
Leiterplatte: Development Kit
euEccn: NLR
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41744.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWS1000 DWS1000 QORVO dws1000productbriefv10.pdf Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2066.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 DWM3001CTR13 QORVO 4509029.pdf Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3972.11 грн
5+3962.33 грн
10+3951.73 грн
50+3136.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 DWM3001CTR13 QORVO 4509029.pdf Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3951.73 грн
50+3136.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 DWM1000 QORVO 4509024.pdf Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 DWM1000 QORVO 4509024.pdf Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5122Z
Виробник: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM
Виробник: Qorvo
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092
Виробник: Qorvo
ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185
Виробник: Qorvo
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+455.75 грн
5+436.18 грн
10+416.62 грн
50+368.69 грн
100+293.51 грн
250+288.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S 3750931.pdf
UJ3N065025K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1333.82 грн
5+1246.58 грн
10+1158.53 грн
50+1031.11 грн
100+910.57 грн
250+869.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+297.58 грн
5+290.24 грн
10+283.72 грн
50+256.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+386.45 грн
5+361.18 грн
10+335.90 грн
50+280.87 грн
100+223.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+605.76 грн
5+566.63 грн
10+526.68 грн
50+467.86 грн
100+412.31 грн
250+392.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1059.88 грн
5+1013.41 грн
10+967.75 грн
50+855.48 грн
100+681.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.59 грн
10+109.25 грн
100+101.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+513.64 грн
5+491.62 грн
10+468.79 грн
50+414.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1900.45 грн
5+1776.53 грн
10+1652.60 грн
50+1429.33 грн
100+1222.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.33 грн
10+164.69 грн
100+141.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S-D.PDF
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1219.68 грн
5+1067.22 грн
10+884.59 грн
50+736.62 грн
100+627.54 грн
250+585.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3833.51 грн
5+3354.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S-D.PDF
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+556.85 грн
5+532.39 грн
10+508.74 грн
50+449.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+472.87 грн
5+452.49 грн
10+432.11 грн
50+382.31 грн
100+303.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+361.18 грн
5+345.68 грн
10+329.38 грн
50+291.47 грн
100+232.01 грн
250+219.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S 3971386.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1264.52 грн
5+1181.36 грн
10+1098.20 грн
50+979.63 грн
100+867.94 грн
250+830.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS 3750922.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.05 грн
10+123.92 грн
100+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.52 грн
5+405.20 грн
10+366.88 грн
50+305.09 грн
100+239.70 грн
250+224.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120150B7S 3971395.pdf
UF3C120150B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+513.64 грн
5+480.21 грн
10+445.97 грн
50+399.73 грн
100+356.40 грн
250+343.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06516TS 3750926.pdf
UJ3D06516TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+281.28 грн
10+246.22 грн
100+211.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018L8S 3971391.pdf
UJ4SC075018L8S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1244.95 грн
5+1224.57 грн
10+1205.00 грн
50+1100.01 грн
100+998.62 грн
250+981.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023K3S UJ4C075023K3S-D.PDF
UJ4C075023K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1065.59 грн
5+1019.12 грн
10+971.83 грн
50+859.26 грн
100+702.32 грн
250+688.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1250K2 3971408.pdf
UJ3D1250K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1745.54 грн
5+1669.72 грн
10+1593.08 грн
50+1408.89 грн
100+1122.31 грн
250+1025.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1220KSD 3750919.pdf
UJ3D1220KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+715.01 грн
5+684.03 грн
10+653.05 грн
50+577.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1725K2 3971409.pdf
UJ3D1725K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1130.81 грн
5+1081.90 грн
10+1032.16 грн
50+913.01 грн
100+727.48 грн
250+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120065K3S 3971404.pdf
UJ3N120065K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1126.74 грн
5+1053.36 грн
10+979.17 грн
50+841.09 грн
100+670.17 грн
250+616.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1205TS 3750915.pdf
UJ3D1205TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+216.87 грн
10+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120053K3S UF4C120053K3S-D.PDF
UF4C120053K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+815.29 грн
5+803.88 грн
10+793.28 грн
50+726.02 грн
100+661.09 грн
250+651.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075044K3S UJ4C075044K3S-D.PDF
UJ4C075044K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+734.58 грн
5+702.78 грн
10+670.99 грн
50+593.53 грн
100+487.08 грн
250+477.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075018K3S UJ4C075018K3S-D.PDF
UJ4C075018K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1308.55 грн
5+1251.48 грн
10+1193.59 грн
50+1055.34 грн
100+840.68 грн
250+828.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4C075023B7S 3971387.pdf
UJ4C075023B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1025.64 грн
5+958.79 грн
10+891.93 грн
50+795.67 грн
100+704.41 грн
250+674.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
QM33120WDK1 4509032.pdf
QM33120WDK1
Виробник: QORVO
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
IC-Funktion: Multiprotocol System-on-Chip, RF Transceiver
rohsCompliant: TBA
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
usEccn: EAR99
Leiterplatte: Development Kit
euEccn: NLR
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+41744.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWS1000 dws1000productbriefv10.pdf
DWS1000
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2066.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 4509029.pdf
DWM3001CTR13
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3972.11 грн
5+3962.33 грн
10+3951.73 грн
50+3136.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DWM3001CTR13 4509029.pdf
DWM3001CTR13
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3951.73 грн
50+3136.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 4509024.pdf
DWM1000
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 4509024.pdf
DWM1000
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 93 94 95 96 97 98 99  [ Наступна Сторінка >> ]