| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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| Мікросхема TQL9093 | Qorvo | ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP369181 | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz |
на замовлення 118 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP369184 | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP369185 | Qorvo | InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA |
на замовлення 62 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9007 | Qorvo | ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz |
на замовлення 81 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9009 | Qorvo | ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz |
на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9028 | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block |
на замовлення 75 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9036 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier |
на замовлення 142 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9037 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9038 | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block |
на замовлення 175 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP5523 | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9101 | Qorvo | ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9103 | Qorvo | ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA |
на замовлення 88 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9104 | Qorvo | ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA |
на замовлення 53 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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UF3C120400K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N065025K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210KSD | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 54nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210KS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3C120150K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06508TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N065080K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °CtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3SC120040B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06510TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF4C120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075009B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C170400K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C170400B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C120400B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075018B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06506TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06504TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C120150B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06516TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 38nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075018L8S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: MO-299 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075023K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1250K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 240nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1220KSD | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 102nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1725K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 184nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N120065K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1205TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 27nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF4C120053K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075044K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075018K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075023B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QM33120WDK1 | QORVO |
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-KabeltariffCode: 85437090 Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWS1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-TransceivertariffCode: 85176200 Prozessorkern: DW1000 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3001CTR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB isCanonical: Y Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.5V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR Versorgungsstrom: 45mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3001CTR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB isCanonical: N Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Versorgungsstrom: 45mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: SPI isCanonical: Y Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 HF-Modulation: BPM, BPSK Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -94dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 64mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -94dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 64mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Versorgungsstrom: 0 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: GPIO, SPI Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.5V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR Versorgungsstrom: 0 Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DW3120TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52tariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA Übertragungsstrom: 17mA Ausgangsleistung (dBm): -31dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 6.4896GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Empfangsstrom: 19mA Empfindlichkeit (dBm): -100dBm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 52Pin(s) Übertragungsrate: 6.81Mbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 7.9872GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DW3120TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52tariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA Übertragungsstrom: 17mA Bauform - HF-IC: WLCSP Ausgangsleistung (dBm): -31dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 6.4896GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Empfangsstrom: 19mA Empfindlichkeit (dBm): -100dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: - Anzahl der Pins: 52Pin(s) Übertragungsrate: 6.81Mbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 7.9872GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000EVB | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000tariffCode: 85437090 Prozessorkern: DW3110 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001-DEV | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001tariffCode: 85437090 Prozessorkern: DW1000 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001 euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001C | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -99dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 134mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001C | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -99dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 134mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| Мікросхема TQL9093 |
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP369181 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP369184 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP369185 |
Виробник: Qorvo
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9007 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9009 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9028 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9036 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9037 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP3M9038 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP5523 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP7M9101 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP7M9103 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Мікросхема TQP7M9104 |
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| UF3C120400K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 503.10 грн |
| 5+ | 481.50 грн |
| 10+ | 459.90 грн |
| 50+ | 406.99 грн |
| 100+ | 324.00 грн |
| 250+ | 318.60 грн |
| UJ3N065025K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1472.40 грн |
| 5+ | 1376.10 грн |
| 10+ | 1278.90 грн |
| 50+ | 1138.24 грн |
| 100+ | 1005.17 грн |
| 250+ | 959.66 грн |
| UJ3D1210KSD |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 328.50 грн |
| 5+ | 320.40 грн |
| 10+ | 313.20 грн |
| 50+ | 283.31 грн |
| UJ3D1210KS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 426.60 грн |
| 5+ | 398.70 грн |
| 10+ | 370.80 грн |
| 50+ | 310.05 грн |
| 100+ | 246.86 грн |
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 668.70 грн |
| 5+ | 625.50 грн |
| 10+ | 581.40 грн |
| 50+ | 516.47 грн |
| 100+ | 455.14 грн |
| 250+ | 433.54 грн |
| UJ3N120070K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1170.00 грн |
| 5+ | 1118.70 грн |
| 10+ | 1068.30 грн |
| 50+ | 944.36 грн |
| 100+ | 752.14 грн |
| UJ3D06508TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 128.70 грн |
| 10+ | 120.60 грн |
| 100+ | 111.60 грн |
| UJ3N065080K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 567.00 грн |
| 5+ | 542.70 грн |
| 10+ | 517.50 грн |
| 50+ | 457.97 грн |
| UF3SC120040B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2097.90 грн |
| 5+ | 1961.10 грн |
| 10+ | 1824.30 грн |
| 50+ | 1577.83 грн |
| 100+ | 1349.23 грн |
| UJ3D06510TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 207.90 грн |
| 10+ | 181.80 грн |
| 100+ | 155.70 грн |
| UF4C120070K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1346.40 грн |
| 5+ | 1178.10 грн |
| 10+ | 976.50 грн |
| 50+ | 813.15 грн |
| 100+ | 692.74 грн |
| 250+ | 646.46 грн |
| UJ4SC075009B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4231.80 грн |
| 5+ | 3702.60 грн |
| UF3C170400K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 614.70 грн |
| 5+ | 587.70 грн |
| 10+ | 561.60 грн |
| 50+ | 496.41 грн |
| UF3C170400B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 522.00 грн |
| 5+ | 499.50 грн |
| 10+ | 477.00 грн |
| 50+ | 422.04 грн |
| 100+ | 335.57 грн |
| UF3C120400B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 398.70 грн |
| 5+ | 381.60 грн |
| 10+ | 363.60 грн |
| 50+ | 321.75 грн |
| 100+ | 256.11 грн |
| 250+ | 242.23 грн |
| UJ4SC075018B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1395.90 грн |
| 5+ | 1304.10 грн |
| 10+ | 1212.30 грн |
| 50+ | 1081.41 грн |
| 100+ | 958.11 грн |
| 250+ | 917.23 грн |
| UJ3D06506TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 155.70 грн |
| 10+ | 136.80 грн |
| 100+ | 117.00 грн |
| UJ3D1210K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 489.60 грн |
| 5+ | 447.30 грн |
| 10+ | 405.00 грн |
| 50+ | 336.79 грн |
| 100+ | 264.60 грн |
| 250+ | 247.63 грн |
| UJ3D06504TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 121.50 грн |
| 10+ | 106.20 грн |
| 100+ | 90.90 грн |
| 500+ | 78.64 грн |
| 1000+ | 67.27 грн |
| UF3C120150B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 567.00 грн |
| 5+ | 530.10 грн |
| 10+ | 492.30 грн |
| 50+ | 441.26 грн |
| 100+ | 393.43 грн |
| 250+ | 378.77 грн |
| UJ3D06516TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 310.50 грн |
| 10+ | 271.80 грн |
| 100+ | 233.10 грн |
| UJ4SC075018L8S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1374.30 грн |
| 5+ | 1351.80 грн |
| 10+ | 1330.20 грн |
| 50+ | 1214.29 грн |
| 100+ | 1102.37 грн |
| 250+ | 1083.09 грн |
| UJ4C075023K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1176.30 грн |
| 5+ | 1125.00 грн |
| 10+ | 1072.80 грн |
| 50+ | 948.54 грн |
| 100+ | 775.29 грн |
| 250+ | 759.86 грн |
| UJ3D1250K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1926.90 грн |
| 5+ | 1843.20 грн |
| 10+ | 1758.60 грн |
| 50+ | 1555.26 грн |
| 100+ | 1238.91 грн |
| 250+ | 1131.69 грн |
| UJ3D1220KSD |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 789.30 грн |
| 5+ | 755.10 грн |
| 10+ | 720.90 грн |
| 50+ | 637.65 грн |
| UJ3D1725K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1248.30 грн |
| 5+ | 1194.30 грн |
| 10+ | 1139.40 грн |
| 50+ | 1007.87 грн |
| 100+ | 803.06 грн |
| 250+ | 738.26 грн |
| UJ3N120065K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1243.80 грн |
| 5+ | 1162.80 грн |
| 10+ | 1080.90 грн |
| 50+ | 928.48 грн |
| 100+ | 739.80 грн |
| 250+ | 680.40 грн |
| UJ3D1205TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 239.40 грн |
| 10+ | 209.70 грн |
| UF4C120053K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 900.00 грн |
| 5+ | 887.40 грн |
| 10+ | 875.70 грн |
| 50+ | 801.45 грн |
| 100+ | 729.77 грн |
| 250+ | 718.97 грн |
| UJ4C075044K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 810.90 грн |
| 5+ | 775.80 грн |
| 10+ | 740.70 грн |
| 50+ | 655.20 грн |
| 100+ | 537.69 грн |
| 250+ | 526.89 грн |
| UJ4C075018K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1444.50 грн |
| 5+ | 1381.50 грн |
| 10+ | 1317.60 грн |
| 50+ | 1164.99 грн |
| 100+ | 928.03 грн |
| 250+ | 914.91 грн |
| UJ4C075023B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1132.20 грн |
| 5+ | 1058.40 грн |
| 10+ | 984.60 грн |
| 50+ | 878.34 грн |
| 100+ | 777.60 грн |
| 250+ | 744.43 грн |
| QM33120WDK1 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45575.10 грн |
| DWS1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2281.50 грн |
| DWM3001CTR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4384.80 грн |
| 5+ | 4374.00 грн |
| 10+ | 4362.30 грн |
| 50+ | 3462.36 грн |
| DWM3001CTR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 4362.30 грн |
| 50+ | 3462.36 грн |
| DWM1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2082.60 грн |
| 5+ | 2051.10 грн |
| 10+ | 2018.70 грн |
| 50+ | 1653.88 грн |
| 100+ | 1298.31 грн |
| 250+ | 1136.31 грн |
| DWM1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2018.70 грн |
| 50+ | 1653.88 грн |
| 100+ | 1298.31 грн |
| 250+ | 1136.31 грн |
| DWM3000TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1829.70 грн |
| 50+ | 1607.91 грн |
| 100+ | 1262.83 грн |
| 250+ | 1104.69 грн |
| DWM3000TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: GPIO, SPI
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: GPIO, SPI
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2025.90 грн |
| 5+ | 1927.80 грн |
| 10+ | 1829.70 грн |
| 50+ | 1607.91 грн |
| 100+ | 1262.83 грн |
| 250+ | 1104.69 грн |
| DW3120TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 915.30 грн |
| 25+ | 862.20 грн |
| 50+ | 768.02 грн |
| 100+ | 678.86 грн |
| 250+ | 633.34 грн |
| 500+ | 587.83 грн |
| DW3120TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 967.50 грн |
| 10+ | 915.30 грн |
| 25+ | 862.20 грн |
| 50+ | 768.02 грн |
| 100+ | 678.86 грн |
| 250+ | 633.34 грн |
| 500+ | 587.83 грн |
| DWM3000EVB |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW3110
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW3110
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2463.30 грн |
| DWM1001-DEV |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2694.60 грн |
| DWM1001C |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4243.50 грн |
| 5+ | 4037.40 грн |
| 10+ | 3832.20 грн |
| 50+ | 3367.09 грн |
| 100+ | 2645.23 грн |
| DWM1001C |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3832.20 грн |
| 50+ | 3367.09 грн |
| 100+ | 2645.23 грн |














