Продукція > QORVO > Всі товари виробника QORVO (5849) > Сторінка 97 з 98

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 92 93 94 95 96 97 98  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
Мікросхема QPL9098 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPM1000 Qorvo ИМС СВЧ QFN-18 (6x5mm) Limiter/LNA 2-20 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPM6000 Qorvo ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPP0100 Qorvo RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RF3023 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch
на замовлення 897 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RF5110G Qorvo ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFPA2545 Qorvo ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2023 Qorvo ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2033 Qorvo ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2113 Qorvo ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA3513 Qorvo ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 186 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSW6042 Qorvo ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
на замовлення 246 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBA-5089Z Qorvo СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-1089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-3089Z Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-5089Z Qorvo СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5043Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5122Z Qorvo GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z Qorvo ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM Qorvo ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM Qorvo Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM Qorvo ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM Qorvo ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM Qorvo ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092 Qorvo ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093 Qorvo ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184 Qorvo ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185 Qorvo InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007 Qorvo ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009 Qorvo ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037 Qorvo ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038 Qorvo ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523 Qorvo ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101 Qorvo ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103 Qorvo ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104 Qorvo ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-1.pdf IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; not recommended for new design; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+1240.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 DWM1000 QORVO dwm1000-datasheet-v1.6.pdf Category: RF modules
Description: Module: RF; 3.5÷6.5GHz; SPI; 2.8÷3.6VDC; SMD; 6.8Mbps; 140/160mA
Interface: SPI
Supply voltage: 2.8...3.6V DC
Frequency: 3.5...6.5GHz
Standard: IEEE 802.15.4 2011
Type of communications module: RF
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 23x13x2.9mm
Position determination accuracy: ±0.1m
TX/RX supply current: 140/160mA
Data transfer rate: 6.8Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1911.49 грн
10+1721.91 грн
25+1541.31 грн
50+1416.63 грн
100+1291.95 грн
250+1135.85 грн
500+1042.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S QORVO UF3C120400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.25 грн
5+424.22 грн
10+405.19 грн
50+358.57 грн
100+285.46 грн
250+280.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S UJ3N065025K3S QORVO 3750931.pdf Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1297.24 грн
5+1212.39 грн
10+1126.76 грн
50+1002.83 грн
100+885.59 грн
250+845.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD UJ3D1210KSD QORVO 3750917.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+289.42 грн
5+282.28 грн
10+275.94 грн
50+249.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS UJ3D1210KS QORVO 3750916.pdf Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+375.85 грн
5+351.27 грн
10+326.69 грн
50+273.16 грн
100+217.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S UJ3C120150K3S QORVO 3750913.pdf Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+589.15 грн
5+551.09 грн
10+512.23 грн
50+455.03 грн
100+401.00 грн
250+381.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S UJ3N120070K3S QORVO 3750934.pdf Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1030.81 грн
5+985.61 грн
10+941.21 грн
50+832.01 грн
100+662.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS UJ3D06508TS QORVO 3750923.pdf Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.39 грн
10+106.25 грн
100+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S UJ3N065080K3S QORVO 3750932.pdf Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.55 грн
5+478.14 грн
10+455.94 грн
50+403.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S QORVO UF3SC120040B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1848.32 грн
5+1727.80 грн
10+1607.27 грн
50+1390.12 грн
100+1188.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS UJ3D06510TS QORVO 3750924.pdf Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.17 грн
10+160.17 грн
100+137.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S QORVO UF4C120070K3S-D.PDF Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1186.22 грн
5+1037.95 грн
10+860.33 грн
50+716.41 грн
100+610.33 грн
250+569.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S UJ4SC075009B7S QORVO 3971384.pdf Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3728.36 грн
5+3262.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S QORVO UF3C170400K3S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+541.57 грн
5+517.78 грн
10+494.79 грн
50+437.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S QORVO UF3C170400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+459.90 грн
5+440.08 грн
10+420.25 грн
50+371.83 грн
100+295.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S QORVO UF3C120400B7S-D.PDF Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.27 грн
5+336.20 грн
10+320.34 грн
50+283.47 грн
100+225.65 грн
250+213.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S UJ4SC075018B7S QORVO 3971386.pdf Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1229.84 грн
5+1148.96 грн
10+1068.08 грн
50+952.76 грн
100+844.13 грн
250+808.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS UJ3D06506TS QORVO 3750922.pdf Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.18 грн
10+120.53 грн
100+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 UJ3D1210K2 QORVO 3971406.pdf Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+431.35 грн
5+394.09 грн
10+356.82 грн
50+296.73 грн
100+233.12 грн
250+218.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPL9098
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 4-6 GHz, 19 dB, 16 dBm, Ultra Low Noise Flat Gain LNA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPM1000
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-18 (6x5mm) Limiter/LNA 2-20 GHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPM6000
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-34 (8,5x6mm) RF Limiter/LNA, 8 to 14 GHz, 23 dB, 18 dBm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема QPP0100
Виробник: Qorvo
RF Power Limiter 8 to 11.5 GHz, 100 W, 1 dB IL, QFN, 4 x 4 mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RF3023
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 (SC70) 10 MHz-4 GHz Broadband Medium Power SPDT Switch
на замовлення 897 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RF5110G
Виробник: Qorvo
ИМС RF QFN16 GSM Power Amplifier, Vs=2,7-4,8 V, Pout=34,5 dBm
на замовлення 72 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFPA2545
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-12(5x4x0,85mm) 1400MHz to 2700MHz Broadband 4W GaAs HBT Power Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2023
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-4000 MHz Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2033
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-6000 MHz Low Loss Voltage Controlled Attenuator, 25dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA2113
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 50-18000 MHz Wide Bandwidth Voltage Controlled Attenuator, 30dB Attenuation Range, Vs=3-5 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSA3513
Виробник: Qorvo
ИМС QFN16 5-6000 MHz Digital Step Attenuator, 5-Bit, 31dB Range, 1.0dB Step
на замовлення 186 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема RFSW6042
Виробник: Qorvo
ИМС QFN12 5-6000 MHz Low Insertion High Isolation SP4T Switch
на замовлення 246 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBA-5089Z
Виробник: Qorvo
СВЧ усилитель DC-5 GHz, Gss=17,2 dB, P1dB=19,5 dBm, Nf=4,5 dB, Ud=4,5...5,3 V, Id=80 mA, корп. Р86
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-1089Z
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-850 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=15,5 dB, P1dB=19 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=90 mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-3089Z
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-6000 MHz InGaP HBT MMIC Amplifier, Gss=16,4 dB, P1dB=15,2 dBm, Nf=3,9 dB, Ud=4,2 V, Id=42 mA
на замовлення 163 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SBB-5089Z
Виробник: Qorvo
СВЧ усилитель с акт. смещением 0,05-6 GHz, S21=20 dB, P1dB=20,5 dBm, Nf=4,2 dB, Ud=5 V, Id=75 mA, SOT-89
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5043Z
Виробник: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,2 dB,Nf=0,8 dB@900MHz, OIP3=35 dBm, P1dB=21 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=46 mA
на замовлення 495 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SPF-5122Z
Виробник: Qorvo
GaAs pHEMT Low Noise MMIC Amplifier 50 - 4000 MHz, Gain=18,9 dB,Nf=0,6 dB@900MHz, OIP3=40,5 dBm, P1dB=23,4 dBm@1900 MHz, Vd=5 V, Id=90 mA
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема SZA-3044Z
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2.7-3,8GHz 1W HBT усилитель мощности P1dB=31dBm; Pout=24dBm; Gain=25dB; Vd=5V; Id=365mA; NF=5,0dB
на замовлення 61 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGA2227-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ 2-22 GHz GaN Low Noise Amplifier
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2206-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-32 (5x5mm) Wideband Dual VPIN Limiter 2-5,5 GHz 100 Watt
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2209-SM
Виробник: Qorvo
Limiter, 8.0 - 12.0 GHz, 50 W, VPIN, 4.0 x 4.0 mm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2210-SM
Виробник: Qorvo
ІМС НВЧ QFN-20 (4x4x0,85mm) 100 Watt VPIN Limiter 0,05-6 GHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2217-SM
Виробник: Qorvo
ИМС СВЧ QFN-14 (3,5x3,5x1,64mm) 10 Watt VPIN Limiter 0,1-20 GHz
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TGL2223-SM
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN (3x3mm) 1–31 GHz 5-Bit Digital Attenuator AttenuationStep Size (LSB): 0.5 dB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9092
Виробник: Qorvo
ІМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 76 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQL9093
Виробник: Qorvo
ИМС DFN-8 (2x2mm) 0,6-4,2 GHz Ultra Low Noise, Flat Gain LNA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369181
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369184
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-363 InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz, Gain=20,3dB, P1dB=+15,5dBm. IP3out=+28,5dBm, Nf=3,9dB @ 1,9 GHz
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP369185
Виробник: Qorvo
InGaP/GaAs HBT Gain Block DC-6 GHz SOT-89 P1dB=19,6 dBm G=19 dB, NF=4,7 dB @ 1,9 GHz V=5 V I=75 mA
на замовлення 62 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9007
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 100-4000 MHz LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=13 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 81 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9009
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block, Nf=1,3 dB, G=21,4 dB @ 1,9 GHz
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9028
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 75 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9036
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9037
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP3M9038
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP5523
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9101
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9103
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Мікросхема TQP7M9104
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-1.pdf
Виробник: QORVO
IR-UWB; SPI; 3.5GHz~6.5GHz; 2.8V~3.6V; -40°C~85°C; not recommended for new design; RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT DWM1000 DECAWAVE LIMITED RF DWM1000
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+1240.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DWM1000 dwm1000-datasheet-v1.6.pdf
DWM1000
Виробник: QORVO
Category: RF modules
Description: Module: RF; 3.5÷6.5GHz; SPI; 2.8÷3.6VDC; SMD; 6.8Mbps; 140/160mA
Interface: SPI
Supply voltage: 2.8...3.6V DC
Frequency: 3.5...6.5GHz
Standard: IEEE 802.15.4 2011
Type of communications module: RF
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Body dimensions: 23x13x2.9mm
Position determination accuracy: ±0.1m
TX/RX supply current: 140/160mA
Data transfer rate: 6.8Mbps
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1911.49 грн
10+1721.91 грн
25+1541.31 грн
50+1416.63 грн
100+1291.95 грн
250+1135.85 грн
500+1042.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400K3S UF3C120400K3S-D.PDF
UF3C120400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.25 грн
5+424.22 грн
10+405.19 грн
50+358.57 грн
100+285.46 грн
250+280.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065025K3S 3750931.pdf
UJ3N065025K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1297.24 грн
5+1212.39 грн
10+1126.76 грн
50+1002.83 грн
100+885.59 грн
250+845.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KSD 3750917.pdf
UJ3D1210KSD
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+289.42 грн
5+282.28 грн
10+275.94 грн
50+249.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210KS 3750916.pdf
UJ3D1210KS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+375.85 грн
5+351.27 грн
10+326.69 грн
50+273.16 грн
100+217.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3C120150K3S 3750913.pdf
UJ3C120150K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+589.15 грн
5+551.09 грн
10+512.23 грн
50+455.03 грн
100+401.00 грн
250+381.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N120070K3S 3750934.pdf
UJ3N120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1030.81 грн
5+985.61 грн
10+941.21 грн
50+832.01 грн
100+662.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06508TS 3750923.pdf
UJ3D06508TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+113.39 грн
10+106.25 грн
100+98.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3N065080K3S 3750932.pdf
UJ3N065080K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+499.55 грн
5+478.14 грн
10+455.94 грн
50+403.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3SC120040B7S UF3SC120040B7S-D.PDF
UF3SC120040B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1848.32 грн
5+1727.80 грн
10+1607.27 грн
50+1390.12 грн
100+1188.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06510TS 3750924.pdf
UJ3D06510TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.17 грн
10+160.17 грн
100+137.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
UF4C120070K3S UF4C120070K3S-D.PDF
UF4C120070K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1186.22 грн
5+1037.95 грн
10+860.33 грн
50+716.41 грн
100+610.33 грн
250+569.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075009B7S 3971384.pdf
UJ4SC075009B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3728.36 грн
5+3262.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400K3S UF3C170400K3S-D.PDF
UF3C170400K3S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.57 грн
5+517.78 грн
10+494.79 грн
50+437.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C170400B7S UF3C170400B7S-D.PDF
UF3C170400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+459.90 грн
5+440.08 грн
10+420.25 грн
50+371.83 грн
100+295.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
UF3C120400B7S UF3C120400B7S-D.PDF
UF3C120400B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+351.27 грн
5+336.20 грн
10+320.34 грн
50+283.47 грн
100+225.65 грн
250+213.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UJ4SC075018B7S 3971386.pdf
UJ4SC075018B7S
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1229.84 грн
5+1148.96 грн
10+1068.08 грн
50+952.76 грн
100+844.13 грн
250+808.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D06506TS 3750922.pdf
UJ3D06506TS
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.18 грн
10+120.53 грн
100+103.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
UJ3D1210K2 3971406.pdf
UJ3D1210K2
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.35 грн
5+394.09 грн
10+356.82 грн
50+296.73 грн
100+233.12 грн
250+218.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 90 92 93 94 95 96 97 98  [ Наступна Сторінка >> ]