| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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| Мікросхема TQP3M9036 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier |
на замовлення 142 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9037 | Qorvo | ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier |
на замовлення 33 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP3M9038 | Qorvo | ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block |
на замовлення 175 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP5523 | Qorvo | ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9101 | Qorvo | ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA |
на замовлення 96 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9103 | Qorvo | ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA |
на замовлення 88 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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| Мікросхема TQP7M9104 | Qorvo | ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA |
на замовлення 53 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
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DWM1000 | QORVO |
Category: RF modulesDescription: Module: RF; 3.5÷6.5GHz; SPI; 2.8÷3.6VDC; SMD; 6.8Mbps; 140/160mA Type of communications module: RF Supply voltage: 2.8...3.6V DC Interface: SPI Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Standard: IEEE 802.15.4 2011 TX/RX supply current: 140/160mA Body dimensions: 23x13x2.9mm Position determination accuracy: ±0.1m Data transfer rate: 6.8Mbps Frequency: 3.5...6.5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
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UF3C120400K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N065025K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 441W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210KSD | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 54nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210KS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3C120150K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06508TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 19nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N065080K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °CtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3SC120040B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06510TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 23nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF4C120070K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075009B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 106A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C170400K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C170400B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C120400B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075018B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 259W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06506TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1210K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 51nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06504TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF3C120150B7S | QORVO |
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D06516TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 38nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4SC075018L8S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: MO-299 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075023K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1250K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 240nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1220KSD | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 102nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1725K2 | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 184nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3N120065K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 254W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ3D1205TS | QORVO |
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 27nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UF4C120053K3S | QORVO |
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075044K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075018K3S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UJ4C075023B7S | QORVO |
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAKtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 278W Bauform - Transistor: D2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QM33120WDK1 | QORVO |
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-KabeltariffCode: 85437090 Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter euEccn: NLR isCanonical: Y Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWS1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-TransceivertariffCode: 85176200 Prozessorkern: DW1000 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3001CTR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB isCanonical: Y Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.5V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR Versorgungsstrom: 45mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3001CTR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB isCanonical: N Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Versorgungsstrom: 45mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: SPI isCanonical: Y Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 HF-Modulation: BPM, BPSK Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -94dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 64mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1000 | QORVO |
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -94dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 64mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Versorgungsstrom: 0 productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: GPIO, SPI Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: EAR99 HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.5V Empfindlichkeit (dBm): - euEccn: NLR Versorgungsstrom: 0 Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 8.25GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DW3120TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52tariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA Übertragungsstrom: 17mA Ausgangsleistung (dBm): -31dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 6.4896GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Empfangsstrom: 19mA Empfindlichkeit (dBm): -100dBm euEccn: NLR Anzahl der Pins: 52Pin(s) Übertragungsrate: 6.81Mbps productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 7.9872GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DW3120TR13 | QORVO |
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52tariffCode: 85176200 rohsCompliant: TBA Übertragungsstrom: 17mA Bauform - HF-IC: WLCSP Ausgangsleistung (dBm): -31dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung usEccn: EAR99 Frequenz, min.: 6.4896GHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.5V Empfangsstrom: 19mA Empfindlichkeit (dBm): -100dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: - Anzahl der Pins: 52Pin(s) Übertragungsrate: 6.81Mbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 7.9872GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM3000EVB | QORVO |
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000tariffCode: 85437090 Prozessorkern: DW3110 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: TBA Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001-DEV | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001tariffCode: 85437090 Prozessorkern: DW1000 Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Qorvo Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001 euEccn: NLR Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001C | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c HF-Modulation: - Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -99dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 134mA Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DWM1001C | QORVO |
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6VtariffCode: 85176200 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps usEccn: 5A992.c Versorgungsspannung, min.: 2.8V Empfindlichkeit (dBm): -99dBm euEccn: NLR Versorgungsstrom: 134mA productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 6.5GHz |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| ACT30BHT-1119 | Qorvo |
ACT30BHT-1119 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ACT30AHT | Qorvo |
High Performance Off-Line Controller |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ACT30BHT | Qorvo |
High Performance Off-Line Controller |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ACT412US-T | Qorvo |
AC/DC Converters Quasi-Resonant PWM Controller |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TQP7M9104 | Qorvo |
RF Amp Single Driver Amp 2.2GHz 5.25V 24-Pin QFN EP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TQP7M9101 | Qorvo |
RF Amp Single Driver Amp 5GHz 5.25V 4-Pin(3+Tab) SOT-89 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Мікросхема TQP3M9036 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 100-2000 MHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 142 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.18 грн |
| 10+ | 273.64 грн |
| 100+ | 253.89 грн |
| Мікросхема TQP3M9037 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
ИМС ВЧ DFN-8 (2x2mm) 0,7-6 GHz Ultra Low Noise, High Linearity Low Noise Amplifier
на замовлення 33 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 425.32 грн |
| 10+ | 366.73 грн |
| 100+ | 338.52 грн |
| Мікросхема TQP3M9038 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
ИМС ВЧ SOT-89 50-4000 MHz High Linearity LNA Gain Block
на замовлення 175 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 461.78 грн |
| 10+ | 378.01 грн |
| 100+ | 338.52 грн |
| Мікросхема TQP5523 |
Виробник: Qorvo
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
ИМС ВЧ QFN-20 (4x4mm) High Power 5 GHz WLAN Power Amplifier
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 416.21 грн |
| 10+ | 335.70 грн |
| 100+ | 310.31 грн |
| Мікросхема TQP7M9101 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
ИМС SOT-89 1/4 W 400-5000 MHz High Linearity Amplifier, P1dB=25 dBm, G=17,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=87 mA
на замовлення 96 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 486.08 грн |
| 10+ | 394.94 грн |
| 100+ | 338.52 грн |
| Мікросхема TQP7M9103 |
Виробник: Qorvo
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
ИМС SOT-89 1 W 400-4000 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=16,5 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=235 mA
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 990.39 грн |
| 10+ | 854.76 грн |
| 100+ | 789.88 грн |
| Мікросхема TQP7M9104 |
Виробник: Qorvo
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
ИМС QFN-24 2 W 700-2700 MHz High Linearity Amplifier, Nf=4,4 dB, Gp=15,8 dB @ 2,14 GHz, Vcc=5 V, Icq=435 mA
на замовлення 53 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1519.00 грн |
| 10+ | 1269.45 грн |
| 100+ | 1128.40 грн |
| DWM1000 |
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Виробник: QORVO
Category: RF modules
Description: Module: RF; 3.5÷6.5GHz; SPI; 2.8÷3.6VDC; SMD; 6.8Mbps; 140/160mA
Type of communications module: RF
Supply voltage: 2.8...3.6V DC
Interface: SPI
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Standard: IEEE 802.15.4 2011
TX/RX supply current: 140/160mA
Body dimensions: 23x13x2.9mm
Position determination accuracy: ±0.1m
Data transfer rate: 6.8Mbps
Frequency: 3.5...6.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: RF modules
Description: Module: RF; 3.5÷6.5GHz; SPI; 2.8÷3.6VDC; SMD; 6.8Mbps; 140/160mA
Type of communications module: RF
Supply voltage: 2.8...3.6V DC
Interface: SPI
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Standard: IEEE 802.15.4 2011
TX/RX supply current: 140/160mA
Body dimensions: 23x13x2.9mm
Position determination accuracy: ±0.1m
Data transfer rate: 6.8Mbps
Frequency: 3.5...6.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1887.45 грн |
| 10+ | 1701.49 грн |
| 25+ | 1519.40 грн |
| 50+ | 1403.28 грн |
| 100+ | 1279.29 грн |
| 250+ | 1124.79 грн |
| 500+ | 1027.37 грн |
| UF3C120400K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 493.68 грн |
| 5+ | 472.48 грн |
| 10+ | 451.28 грн |
| 50+ | 399.37 грн |
| 100+ | 317.93 грн |
| 250+ | 312.63 грн |
| UJ3N065025K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N065025K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 85 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 441W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1444.82 грн |
| 5+ | 1350.32 грн |
| 10+ | 1254.94 грн |
| 50+ | 1116.92 грн |
| 100+ | 986.34 грн |
| 250+ | 941.68 грн |
| UJ3D1210KSD |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 10 A, 54 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 54nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 322.35 грн |
| 5+ | 314.40 грн |
| 10+ | 307.33 грн |
| 50+ | 278.00 грн |
| UJ3D1210KS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210KS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 418.61 грн |
| 5+ | 391.23 грн |
| 10+ | 363.85 грн |
| 50+ | 304.24 грн |
| 100+ | 242.23 грн |
| UJ3C120150K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3C120150K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18.4 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 656.17 грн |
| 5+ | 613.78 грн |
| 10+ | 570.51 грн |
| 50+ | 506.80 грн |
| 100+ | 446.62 грн |
| 250+ | 425.42 грн |
| UJ3N120070K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33.5 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1148.08 грн |
| 5+ | 1097.74 грн |
| 10+ | 1048.29 грн |
| 50+ | 926.67 грн |
| 100+ | 738.05 грн |
| UJ3D06508TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06508TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 19 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 19nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 126.29 грн |
| 10+ | 118.34 грн |
| 100+ | 109.51 грн |
| UJ3N065080K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N065080K3S - JFET-Transistor, TO-247, 175 °C
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 11.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 2V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 556.38 грн |
| 5+ | 532.53 грн |
| 10+ | 507.81 грн |
| 50+ | 449.39 грн |
| UF3SC120040B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3SC120040B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 35 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2058.60 грн |
| 5+ | 1924.36 грн |
| 10+ | 1790.12 грн |
| 50+ | 1548.27 грн |
| 100+ | 1323.95 грн |
| UJ3D06510TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06510TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 23 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 23nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 204.01 грн |
| 10+ | 178.39 грн |
| 100+ | 152.78 грн |
| UF4C120070K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF4C120070K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 27.5 A, 1.2 kV, 72 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1321.18 грн |
| 5+ | 1156.03 грн |
| 10+ | 958.21 грн |
| 50+ | 797.92 грн |
| 100+ | 679.77 грн |
| 250+ | 634.35 грн |
| UJ4SC075009B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075009B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 106 A, 750 V, 9 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4152.52 грн |
| 5+ | 3633.24 грн |
| UF3C170400K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C170400K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 0.41 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 603.18 грн |
| 5+ | 576.69 грн |
| 10+ | 551.08 грн |
| 50+ | 487.11 грн |
| UF3C170400B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C170400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.7 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 512.22 грн |
| 5+ | 490.14 грн |
| 10+ | 468.06 грн |
| 50+ | 414.13 грн |
| 100+ | 329.28 грн |
| UF3C120400B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120400B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.6 A, 1.2 kV, 410 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 410mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 391.23 грн |
| 5+ | 374.45 грн |
| 10+ | 356.79 грн |
| 50+ | 315.72 грн |
| 100+ | 251.32 грн |
| 250+ | 237.69 грн |
| UJ4SC075018B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075018B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 750 V, 18 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 259W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1369.75 грн |
| 5+ | 1279.67 грн |
| 10+ | 1189.59 грн |
| 50+ | 1061.16 грн |
| 100+ | 940.17 грн |
| 250+ | 900.05 грн |
| UJ3D06506TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06506TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 6 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 152.78 грн |
| 10+ | 134.24 грн |
| 100+ | 114.81 грн |
| UJ3D1210K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1210K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 51 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 51nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 480.43 грн |
| 5+ | 438.92 грн |
| 10+ | 397.41 грн |
| 50+ | 330.48 грн |
| 100+ | 259.64 грн |
| 250+ | 242.99 грн |
| UJ3D06504TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06504TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 4 A, 9.3 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 9.3nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 119.22 грн |
| 10+ | 104.21 грн |
| 100+ | 89.20 грн |
| 500+ | 77.17 грн |
| 1000+ | 66.01 грн |
| UF3C120150B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF3C120150B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 150 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 150mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 556.38 грн |
| 5+ | 520.17 грн |
| 10+ | 483.08 грн |
| 50+ | 432.99 грн |
| 100+ | 386.06 грн |
| 250+ | 371.68 грн |
| UJ3D06516TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D06516TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 38 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 38nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 304.68 грн |
| 10+ | 266.71 грн |
| 100+ | 228.73 грн |
| UJ4SC075018L8S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4SC075018L8S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 750 V, 18 mohm, MO-299
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: MO-299
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1348.55 грн |
| 5+ | 1326.48 грн |
| 10+ | 1305.28 грн |
| 50+ | 1191.54 грн |
| 100+ | 1081.72 грн |
| 250+ | 1062.80 грн |
| UJ4C075023K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075023K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 750 V, 23 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1154.26 грн |
| 5+ | 1103.92 грн |
| 10+ | 1052.70 грн |
| 50+ | 930.77 грн |
| 100+ | 760.76 грн |
| 250+ | 745.62 грн |
| UJ3D1250K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1250K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 50 A, 240 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 240nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1890.80 грн |
| 5+ | 1808.67 грн |
| 10+ | 1725.65 грн |
| 50+ | 1526.13 грн |
| 100+ | 1215.70 грн |
| 250+ | 1110.48 грн |
| UJ3D1220KSD |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1220KSD - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 102 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 102nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 774.51 грн |
| 5+ | 740.95 грн |
| 10+ | 707.39 грн |
| 50+ | 625.70 грн |
| UJ3D1725K2 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1725K2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 25 A, 184 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 184nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 25A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1224.91 грн |
| 5+ | 1171.93 грн |
| 10+ | 1118.05 грн |
| 50+ | 988.99 грн |
| 100+ | 788.01 грн |
| 250+ | 724.43 грн |
| UJ3N120065K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3N120065K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 66 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 66mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1220.50 грн |
| 5+ | 1141.02 грн |
| 10+ | 1060.65 грн |
| 50+ | 911.08 грн |
| 100+ | 725.94 грн |
| 250+ | 667.65 грн |
| UJ3D1205TS |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ3D1205TS - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 5 A, 27 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 27nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 234.92 грн |
| 10+ | 205.77 грн |
| UF4C120053K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UF4C120053K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 1.2 kV, 53 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 53mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 883.14 грн |
| 5+ | 870.78 грн |
| 10+ | 859.29 грн |
| 50+ | 786.44 грн |
| 100+ | 716.10 грн |
| 250+ | 705.50 грн |
| UJ4C075044K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075044K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 37.4 A, 750 V, 44 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 44mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 795.71 грн |
| 5+ | 761.27 грн |
| 10+ | 726.82 грн |
| 50+ | 642.93 грн |
| 100+ | 527.61 грн |
| 250+ | 517.02 грн |
| UJ4C075018K3S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075018K3S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 750 V, 18 mohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1417.44 грн |
| 5+ | 1355.62 грн |
| 10+ | 1292.92 грн |
| 50+ | 1143.16 грн |
| 100+ | 910.64 грн |
| 250+ | 897.77 грн |
| UJ4C075023B7S |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: QORVO - UJ4C075023B7S - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 750 V, 23 mohm, D2PAK
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 23mohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1110.99 грн |
| 5+ | 1038.57 грн |
| 10+ | 966.15 грн |
| 50+ | 861.88 грн |
| 100+ | 763.03 грн |
| 250+ | 730.48 грн |
| QM33120WDK1 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - QM33120WDK1 - Development Kit, QM33110QM33120nRF52840, UWB-Transceiver, Tochterplatinen, Antennen, USB-Kabel
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: QM33110W, QM33120W, nRF52840
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Nordic Semiconductor, Qorvo
Lieferumfang des Kits: Tochterplatinen QM33110W/QM33120W, Entwicklungsboard nRF52840, Antennen, Micro-USB-Kabel, Halter und Abstandhalter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 44721.30 грн |
| DWS1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWS1000 - Arduino-Shield, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver
tariffCode: 85176200
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW1000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2238.76 грн |
| DWM3001CTR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4302.66 грн |
| 5+ | 4292.06 грн |
| 10+ | 4280.58 грн |
| 50+ | 3397.50 грн |
| DWM3001CTR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
Description: QORVO - DWM3001CTR13 - Transceiver-Modul, GPIO/I2C/SPI/UART/USB, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 45mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Modulschnittstelle: GPIO, I2C, SPI, UART, USB
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 45mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 4280.58 грн |
| 50+ | 3397.50 грн |
| DWM1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: SPI
isCanonical: Y
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: BPM, BPSK
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2043.58 грн |
| 5+ | 2012.68 грн |
| 10+ | 1980.88 грн |
| 50+ | 1622.90 грн |
| 100+ | 1273.99 грн |
| 250+ | 1115.03 грн |
| DWM1000 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
Description: QORVO - DWM1000 - Transceiver-Modul, SPI, BPM/BPSK, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -94dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 64mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1980.88 грн |
| 50+ | 1622.90 грн |
| 100+ | 1273.99 грн |
| 250+ | 1115.03 грн |
| DWM3000TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1795.42 грн |
| 50+ | 1577.79 грн |
| 100+ | 1239.17 грн |
| 250+ | 1083.99 грн |
| DWM3000TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: GPIO, SPI
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3000TR13 - Transceiver-Modul, GPIO/SPI, 8.25GHz, 6.8Mbit/s, 55mA, 2.5V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: GPIO, SPI
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: EAR99
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Empfindlichkeit (dBm): -
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 0
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 8.25GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1987.95 грн |
| 5+ | 1891.68 грн |
| 10+ | 1795.42 грн |
| 50+ | 1577.79 грн |
| 100+ | 1239.17 грн |
| 250+ | 1083.99 грн |
| DW3120TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 898.15 грн |
| 25+ | 846.05 грн |
| 50+ | 753.63 грн |
| 100+ | 666.14 грн |
| 250+ | 621.48 грн |
| 500+ | 576.82 грн |
| DW3120TR13 |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DW3120TR13 - UWB-Transceiver, 6.81Mbit/s, 6.4896-7.9872GHz 1.5-3.6V 17mA Senden / 19mA Empfangen -100dBm WLCSP-52
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: TBA
Übertragungsstrom: 17mA
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): -31dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Gesundheitswesen, Verbraucher, Industrie, drahtlose Sensornetzwerke, Präsenzerkennung
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 6.4896GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
Empfangsstrom: 19mA
Empfindlichkeit (dBm): -100dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: -
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Übertragungsrate: 6.81Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.9872GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 949.38 грн |
| 10+ | 898.15 грн |
| 25+ | 846.05 грн |
| 50+ | 753.63 грн |
| 100+ | 666.14 грн |
| 250+ | 621.48 грн |
| 500+ | 576.82 грн |
| DWM3000EVB |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW3110
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM3000EVB - Arduino-Shield, DW3110, Ultra-Breitband-Transceiver, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW3110
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: TBA
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Arduino-Shield DW3110, Ultra-Breitband-Modul DWM3000
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2417.15 грн |
| DWM1001-DEV |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1001-DEV - Development Kit, DW1000, Ultra-Breitband-Transceiver, Entwicklungsboard, UWB-Modul DWM1001
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: DW1000
Kit-Anwendungsbereich: Wireless-Konnektivität
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Qorvo
Lieferumfang des Kits: Entwicklungsboard DW1000, Ultra-Breitband-Modul DWM1001
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Ultra-Breitband-Transceiver
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2610.56 грн |
| DWM1001C |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modulschnittstelle: I2C, I2S, SPI, UART
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
HF-Modulation: -
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4164.00 грн |
| 5+ | 3961.76 грн |
| 10+ | 3760.41 грн |
| 50+ | 3304.01 грн |
| 100+ | 2595.67 грн |
| DWM1001C |
![]() |
Виробник: QORVO
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
Description: QORVO - DWM1001C - Transceiver-Modul, I2C/I2S/SPI/UART, 6.5GHz, 6.8Mbit/s, -99dBm, 64mA, 2.8V bis 3.6V
tariffCode: 85176200
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Übertragungsrate, max.: 6.8Mbps
usEccn: 5A992.c
Versorgungsspannung, min.: 2.8V
Empfindlichkeit (dBm): -99dBm
euEccn: NLR
Versorgungsstrom: 134mA
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 6.5GHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 3760.41 грн |
| 50+ | 3304.01 грн |
| 100+ | 2595.67 грн |
| ACT30AHT |
![]() |
Виробник: Qorvo
High Performance Off-Line Controller
High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ACT30BHT |
![]() |
Виробник: Qorvo
High Performance Off-Line Controller
High Performance Off-Line Controller
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ACT412US-T |
![]() |
Виробник: Qorvo
AC/DC Converters Quasi-Resonant PWM Controller
AC/DC Converters Quasi-Resonant PWM Controller
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.















