Продукція > RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC (15075) > Сторінка 153 з 252
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HZ7C1-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C1-90TA | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35Packaging: Bulk Tolerance: ±2.86% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C2LTD-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 0.4WPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C2J-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C2TD-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 0.5WPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C2JTA-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 0.5W Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C1TD-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 0.5WPackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HZ7C2L-JTA | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1095000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
HZ7C2-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
HD64F3642APV | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64SDIPPackaging: Tube Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm) Mounting Type: Through Hole Speed: 8MHz Program Memory Size: 16KB (16K x 8) RAM Size: 1K x 8 Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: H8/300L Data Converters: A/D 8x8b Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V Connectivity: SCI Peripherals: PWM, WDT Supplier Device Package: 64-SDIP Number of I/O: 53 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0381DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAKPackaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0204DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0657DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAKPackaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0364DPA-00#J0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAKPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK03P7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 10W, 20W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Supplier Device Package: 8-WPAK |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK03P9DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 15W, 35W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Supplier Device Package: 8-WPAK |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK03C0DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V |
на замовлення 463509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0346DPA-00#J0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RJK0379DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAKPackaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RJK0212DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH WPAKPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: WPAK(3) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
ISL9122AIRNZ-T7A | Renesas Electronics America Inc |
Description: ULTRA-LOW IQ BUCK-BOOST REGULATO |
на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| 2SC2335-S-AZ | Renesas Electronics America Inc |
Description: TRANSISTOR NPN MP-25Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
HA17431PAJ-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC REG LINEAR SHUNT REG |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| HA17339AF-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: QUADRUPLE COMPARATOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| HA17902AFP-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14PSOPPackaging: Bulk Package / Case: 14-SOIC (0.216", 5.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Amplifier Type: General Purpose Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Current - Supply: 800µA Slew Rate: 0.19V/µs Current - Input Bias: 30 nA Voltage - Input Offset: 2 mV Supplier Device Package: 14-PSOP Number of Circuits: 4 Current - Output / Channel: 40 mA Voltage - Supply Span (Min): 32 V Voltage - Supply Span (Max): 32 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| HA178L05A-E-P-WS | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC REG LINEAR FIXED STNDRD REG Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 2SK2070-AZ | Renesas Electronics America Inc |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 2SK2054-D-T2-AZ | Renesas Electronics America Inc |
Description: N-CHANNEL MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
2SK2008-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2SC2979-03-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
5P83908NDGK | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC CLOCK OCTAL 20VFQFPN |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UPC78N12H-AZ | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC REG LINEAR 1 OUTPUT BIPOLARPackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XAH535048.000000I | Renesas Electronics America Inc | Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| XUH535048.000000X | Renesas Electronics America Inc |
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| XUH735048.000000X | Renesas Electronics America Inc |
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| XUH535048.000000I | Renesas Electronics America Inc |
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| XUH735048.000000I | Renesas Electronics America Inc |
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SK3899(01)-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America Inc |
Description: TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| M37709E4LFS | Renesas Electronics America Inc |
Description: MCU, 16-BIT Packaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
XLL525067.596000X | Renesas Electronics America Inc |
Description: XTAL OSC XO 67.5960MHZ LVDS SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| XLH53V012.287000I | Renesas Electronics America Inc |
Description: XTAL OSC VCXO 12.2870MHZ HCMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
R5F21256SN586FP#V2 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 52LQFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| R5F21256SYFP#X6 | Renesas Electronics America Inc | Description: IC MCU FLASH SMD QFP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9205BEVAL1Z | Renesas Electronics America Inc | Description: EVAL BOARD 1 DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9205DEVAL1Z | Renesas Electronics America Inc | Description: EVAL BOARD 1 DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9205CEVAL1Z | Renesas Electronics America Inc | Description: EVAL BOARD 1 DFN |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9205EVAL1Z | Renesas Electronics America Inc | Description: EVAL BOARD 1 QFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
NESG3031M14-T3-A | Renesas Electronics America Inc |
Description: RF SMALL SIGNAL TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Gain: 7.5dB ~ 16dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz Supplier Device Package: 4L2MM, M14 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| UPD63712AGC-8EU-A | Renesas Electronics America Inc |
Description: SOC ANALOG CD/TUNER Packaging: Bulk |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| 89KTT0816AP | Renesas Electronics America Inc |
Description: BOARD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
R1LV5256ESA-5SR#S0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
R1LV5256ESA-5SR#B0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| R1LV5256ESA-7SR#B0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOPPackaging: Bulk Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 4239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| R1LV5256ESA-7SI#B0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOPPackaging: Bulk Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 5215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
R1LP5256ESA-7SI#S0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| R1LP5256ESA-7SI#B0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOPPackaging: Bulk Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: SRAM Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 28-TSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
R1LV5256ESA-5SI#B0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
на замовлення 20773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
R1LV5256ESA-7SI#S0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HZ7C1-E |
![]() |
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HZ7C1-90TA |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2.86%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±2.86%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HZ7C2LTD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HZ7C2J-E |
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3166+ | 9.24 грн |
| HZ7C2TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HZ7C2JTA-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HZ7C1TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HZ7C2L-JTA |
на замовлення 1095000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2704+ | 9.24 грн |
| HD64F3642APV |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 8MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-SDIP
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 8MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-SDIP
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 4139.55 грн |
| RJK0381DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 319+ | 78.94 грн |
| RJK0204DPA-00#J53 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 296+ | 85.66 грн |
| RJK0657DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 387+ | 65.50 грн |
| RJK0364DPA-00#J0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 464+ | 54.59 грн |
| RJK03P7DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 124.29 грн |
| RJK03P9DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 124.29 грн |
| RJK03C0DPA-00#J53 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
на замовлення 463509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 163+ | 155.36 грн |
| RJK0346DPA-00#J0 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RJK0379DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 204+ | 124.29 грн |
| RJK03M1DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 86.45 грн |
| 6000+ | 80.17 грн |
| RJK03M1DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.95 грн |
| 10+ | 151.06 грн |
| 100+ | 120.25 грн |
| 500+ | 95.49 грн |
| 1000+ | 81.02 грн |
| RJK0212DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)
Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 524+ | 47.87 грн |
| ISL9122AIRNZ-T7A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: ULTRA-LOW IQ BUCK-BOOST REGULATO
Description: ULTRA-LOW IQ BUCK-BOOST REGULATO
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.49 грн |
| 10+ | 224.73 грн |
| 25+ | 211.97 грн |
| 100+ | 169.50 грн |
| 2SC2335-S-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: TRANSISTOR NPN MP-25
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Description: TRANSISTOR NPN MP-25
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HA17431PAJ-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC REG LINEAR SHUNT REG
Description: IC REG LINEAR SHUNT REG
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HA17339AF-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: QUADRUPLE COMPARATOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: QUADRUPLE COMPARATOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HA17902AFP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14PSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.216", 5.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 800µA
Slew Rate: 0.19V/µs
Current - Input Bias: 30 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-PSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 32 V
Voltage - Supply Span (Max): 32 V
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14PSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 14-SOIC (0.216", 5.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 800µA
Slew Rate: 0.19V/µs
Current - Input Bias: 30 nA
Voltage - Input Offset: 2 mV
Supplier Device Package: 14-PSOP
Number of Circuits: 4
Current - Output / Channel: 40 mA
Voltage - Supply Span (Min): 32 V
Voltage - Supply Span (Max): 32 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HA178L05A-E-P-WS |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC REG LINEAR FIXED STNDRD REG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC REG LINEAR FIXED STNDRD REG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 770+ | 32.66 грн |
| 2SK2070-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 451+ | 52.63 грн |
| 2SK2054-D-T2-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: N-CHANNEL MOSFET
Description: N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SC2979-03-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 5P83908NDGK |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC CLOCK OCTAL 20VFQFPN
Description: IC CLOCK OCTAL 20VFQFPN
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| UPC78N12H-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC REG LINEAR 1 OUTPUT BIPOLAR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC REG LINEAR 1 OUTPUT BIPOLAR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XAH535048.000000I |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XUH535048.000000X |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XUH735048.000000X |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XUH535048.000000I |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
Description: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XUH735048.000000I |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P
Description: CLCC 7.00X5.00X1.30 MM, 2.54MM P
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SK3899(01)-ZK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Part Status: Obsolete
Description: TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| M37709E4LFS |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MCU, 16-BIT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU, 16-BIT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 1666.12 грн |
| XLL525067.596000X |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: XTAL OSC XO 67.5960MHZ LVDS SMD
Description: XTAL OSC XO 67.5960MHZ LVDS SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| XLH53V012.287000I |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: XTAL OSC VCXO 12.2870MHZ HCMOS
Description: XTAL OSC VCXO 12.2870MHZ HCMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R5F21256SN586FP#V2 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 52LQFP
Description: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 52LQFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R5F21256SYFP#X6 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC MCU FLASH SMD QFP
Description: IC MCU FLASH SMD QFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISL9205BEVAL1Z |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: EVAL BOARD 1 DFN
Description: EVAL BOARD 1 DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISL9205DEVAL1Z |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: EVAL BOARD 1 DFN
Description: EVAL BOARD 1 DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ISL9205CEVAL1Z |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: EVAL BOARD 1 DFN
Description: EVAL BOARD 1 DFN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ISL9205EVAL1Z |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: EVAL BOARD 1 QFN
Description: EVAL BOARD 1 QFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NESG3031M14-T3-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 7.5dB ~ 16dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4L2MM, M14
Part Status: Obsolete
Description: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 7.5dB ~ 16dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 6mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.5dB @ 2.4GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4L2MM, M14
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UPD63712AGC-8EU-A |
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 896.04 грн |
| 89KTT0816AP |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: BOARD
Description: BOARD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| R1LV5256ESA-5SR#S0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| R1LV5256ESA-5SR#B0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| R1LV5256ESA-7SR#B0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 77+ | 327.51 грн |
| R1LV5256ESA-7SI#B0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 74+ | 345.15 грн |
| R1LP5256ESA-7SI#S0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS
Description: STANDARD SRAM, 32KX8, 70NS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| R1LP5256ESA-7SI#B0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: SRAM
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 28-TSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 74+ | 344.31 грн |
| R1LV5256ESA-5SI#B0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
на замовлення 20773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| R1LV5256ESA-7SI#S0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
Description: IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.















