Продукція > RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS AMERICA INC (15512) > Сторінка 156 з 259
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HXT8204-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXR8204-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX32222-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXT14450-DNU | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Tray Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXR14450-DNU | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX76472-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX36420-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX76470-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX76471-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
GX36220-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXT44400-DNU | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Type: Modulator Driver Operating Temperature: -5°C ~ 95°C Voltage - Supply: 2.8V Data Rate: 56Gbps Current - Modulation: 60mA Current - Bias: 60 mA Supplier Device Package: Die Number of Channels: 1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXT8212-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
HXR8212-DNT | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
74HC670FP-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE Packaging: Bulk Circuit: 1 x 1:1 Type: Register File Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Independent Circuits: 4 Voltage Supply Source: Single Supply Part Status: Active |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
74HC670P-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE Packaging: Bulk Circuit: 1 x 1:1 Type: Register File Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Independent Circuits: 4 Voltage Supply Source: Single Supply Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
74HC670FPEL-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Circuit: 1 x 1:1 Type: Register File Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 2V ~ 6V Independent Circuits: 4 Voltage Supply Source: Single Supply Part Status: Active |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
R5F100MGGFB#10 | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
R2A20111SP#U0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER FACTOR CORRECTION Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
R2A20114SP#W0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER FACTOR CORRECTION Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
R2A20124ASP#W0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: POWER FACTOR CORRECTION Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
H7N0608LS90TL | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET |
на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
H7N0608LS90TL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
XLP735067.108864X | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
XLP736167.328125X | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Strip Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.295" L x 0.205" W (7.50mm x 5.20mm) Mounting Type: Surface Mount Output: LVPECL Function: Enable/Disable Type: XO (Standard) Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Frequency Stability: ±25ppm Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 120mA Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm) Part Status: Active Frequency: 167.328125 MHz Base Resonator: Crystal |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
R2A11014AFT#U0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: R2A11014AFT#U0 Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
UPA606T-T1-A | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
на замовлення 91000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
2SC2752-AZ | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
F2970NCGK | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Strip Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad Impedance: 75Ohm Mounting Type: Surface Mount Circuit: SPDT RF Type: CATV Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Insertion Loss: 0.32dB Frequency Range: 5MHz ~ 3GHz Test Frequency: 1.2GHz Isolation: 70dB Supplier Device Package: 20-VFQFPN (4x4) IIP3: 63dBm Part Status: Active |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
74HC533FP-E | Renesas Electronics America Inc | Description: OCTAL D-TYPE TRANSPARENT LATCH |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
89H32NT8AG2ZCHLGI | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
HZ7C3L-JTA-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C1LTD-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C3LRE-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Tolerance: ±2.86% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C3LTD-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
HZ7C1L-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C1-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C1-90TA | Renesas Electronics America Inc |
![]() Tolerance: ±2.86% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C2LTD-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C2J-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C2TD-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C2JTA-E | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER 0.5W Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C1TD-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
HZ7C2L-JTA | Renesas Electronics America Inc |
Description: DIODE ZENER Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1095000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HZ7C2-E | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
HD64F3642APV | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm) Mounting Type: Through Hole Speed: 8MHz Program Memory Size: 16KB (16K x 8) RAM Size: 1K x 8 Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: H8/300L Data Converters: A/D 8x8b Core Size: 8-Bit Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V Connectivity: SCI Peripherals: PWM, WDT Supplier Device Package: 64-SDIP Number of I/O: 53 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0381DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0204DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0657DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0364DPA-00#J0 | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK03P7DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 10W, 20W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Supplier Device Package: 8-WPAK |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK03P9DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 15W, 35W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Supplier Device Package: 8-WPAK |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK03C0DPA-00#J53 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V |
на замовлення 463509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0346DPA-00#J0 | Renesas Electronics America Inc |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK (3) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
RJK0379DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Supplier Device Package: 8-WPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK03M1DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
RJK0212DPA-00#J5A | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: WPAK(3) |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
ISL9122AIRNZ-T7A | Renesas Electronics America Inc |
![]() |
на замовлення 7250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
M63154AFP#TC1G | Renesas Electronics America Inc | Description: PRINTER MOTOR DRIVER |
на замовлення 4100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
2SC2335-S-AZ | Renesas Electronics America Inc |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
HXT8204-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXR8204-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX32222-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXT14450-DNU |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Packaging: Tray
Part Status: Active
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Packaging: Tray
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXR14450-DNU |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX76472-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX36420-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX76470-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX76471-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
GX36220-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXT44400-DNU |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator Driver
Operating Temperature: -5°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 2.8V
Data Rate: 56Gbps
Current - Modulation: 60mA
Current - Bias: 60 mA
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Packaging: Tray
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Modulator Driver
Operating Temperature: -5°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 2.8V
Data Rate: 56Gbps
Current - Modulation: 60mA
Current - Bias: 60 mA
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXT8212-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HXR8212-DNT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
Description: DIE SALE (PRICE IN GOOD DIE)-WAF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
74HC670FP-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
232+ | 94.78 грн |
74HC670P-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
232+ | 94.78 грн |
74HC670FPEL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
Description: 74HC670 4X4 REGISTER FILE
Packaging: Bulk
Circuit: 1 x 1:1
Type: Register File
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 4
Voltage Supply Source: Single Supply
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
232+ | 94.78 грн |
R5F100MGGFB#10 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 80LFQFP
Description: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 80LFQFP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
H7N0608LS90TL |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 11980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
H7N0608LS90TL-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
XLP735067.108864X |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: XTAL OSC XO 67.108864MHZ LVPECL
Description: XTAL OSC XO 67.108864MHZ LVPECL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
XLP736167.328125X |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: XTAL OSC XO 167.328125MHZ LVPECL
Packaging: Strip
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.295" L x 0.205" W (7.50mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 120mA
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Part Status: Active
Frequency: 167.328125 MHz
Base Resonator: Crystal
Description: XTAL OSC XO 167.328125MHZ LVPECL
Packaging: Strip
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.295" L x 0.205" W (7.50mm x 5.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 120mA
Height - Seated (Max): 0.055" (1.40mm)
Part Status: Active
Frequency: 167.328125 MHz
Base Resonator: Crystal
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
R2A11014AFT#U0 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: R2A11014AFT#U0
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: R2A11014AFT#U0
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
UPA606T-T1-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 91000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2SC2752-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
F2970NCGK |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20VFQFPN
Packaging: Strip
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 75Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: CATV
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.32dB
Frequency Range: 5MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 1.2GHz
Isolation: 70dB
Supplier Device Package: 20-VFQFPN (4x4)
IIP3: 63dBm
Part Status: Active
Description: IC RF SWITCH SPDT 3GHZ 20VFQFPN
Packaging: Strip
Package / Case: 20-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 75Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SPDT
RF Type: CATV
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Insertion Loss: 0.32dB
Frequency Range: 5MHz ~ 3GHz
Test Frequency: 1.2GHz
Isolation: 70dB
Supplier Device Package: 20-VFQFPN (4x4)
IIP3: 63dBm
Part Status: Active
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 257.72 грн |
10+ | 222.83 грн |
25+ | 210.65 грн |
100+ | 171.32 грн |
250+ | 162.53 грн |
500+ | 145.84 грн |
74HC533FP-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: OCTAL D-TYPE TRANSPARENT LATCH
Description: OCTAL D-TYPE TRANSPARENT LATCH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
89H32NT8AG2ZCHLGI |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC INTFACE SPECIALIZED 484FCBGA
Description: IC INTFACE SPECIALIZED 484FCBGA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HZ7C3L-JTA-E |
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5413+ | 4.66 грн |
HZ7C1LTD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C3LRE-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Tolerance: ±2.86%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Tolerance: ±2.86%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5413+ | 4.66 грн |
HZ7C1L-E |
![]() |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C1-E |
![]() |
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C1-90TA |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Tolerance: ±2.86%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
Description: DIODE ZENER 7V 500MW DO35
Tolerance: ±2.86%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3.5 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C2LTD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.4W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C2J-E |
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3166+ | 8.54 грн |
HZ7C2TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C2JTA-E |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HZ7C1TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.5W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
HZ7C2L-JTA |
на замовлення 1095000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2704+ | 8.54 грн |
HD64F3642APV |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 8MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-SDIP
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 8BIT 16KB FLASH 64SDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 64-SDIP (0.750", 19.05mm)
Mounting Type: Through Hole
Speed: 8MHz
Program Memory Size: 16KB (16K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 75°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: H8/300L
Data Converters: A/D 8x8b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Connectivity: SCI
Peripherals: PWM, WDT
Supplier Device Package: 64-SDIP
Number of I/O: 53
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 3826.39 грн |
RJK0381DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 40A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
319+ | 72.97 грн |
RJK0204DPA-00#J53 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
296+ | 79.18 грн |
RJK0657DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
387+ | 60.55 грн |
RJK0364DPA-00#J0 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
464+ | 50.46 грн |
RJK03P7DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 10W, 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A, 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
204+ | 114.88 грн |
RJK03P9DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
Description: POWER, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W, 35W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Supplier Device Package: 8-WPAK
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
204+ | 114.88 грн |
RJK03C0DPA-00#J53 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 70A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 10 V
на замовлення 463509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
163+ | 143.61 грн |
RJK0346DPA-00#J0 |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK (3)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
RJK0379DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Supplier Device Package: 8-WPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
204+ | 114.88 грн |
RJK03M1DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 79.91 грн |
6000+ | 74.10 грн |
RJK03M1DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Supplier Device Package: WPAK(3F) (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 174.66 грн |
10+ | 139.63 грн |
100+ | 111.15 грн |
500+ | 88.26 грн |
1000+ | 74.89 грн |
RJK0212DPA-00#J5A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)
Description: MOSFET N-CH WPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: WPAK(3)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
524+ | 44.25 грн |
ISL9122AIRNZ-T7A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: ULTRA-LOW IQ BUCK-BOOST REGULATO
Description: ULTRA-LOW IQ BUCK-BOOST REGULATO
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 239.86 грн |
10+ | 207.73 грн |
25+ | 195.93 грн |
100+ | 156.67 грн |
M63154AFP#TC1G |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: PRINTER MOTOR DRIVER
Description: PRINTER MOTOR DRIVER
на замовлення 4100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
2SC2335-S-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics America Inc
Description: TRANSISTOR NPN MP-25
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Description: TRANSISTOR NPN MP-25
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.