Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > Всі товари виробника RENESAS ELECTRONICS CORPORATION (29593) > Сторінка 202 з 494
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
1S953 | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 3 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 200°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V |
на замовлення 169417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2462(04)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 21036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SC5820WU-TL-H | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNMounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk Supplier Device Package: CMPAK-4 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 20GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 100mW Gain: 17.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| 2SB1117-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNPPackaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 280MHz Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
74LS139P-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXSPart Status: Active Packaging: Bulk |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2484(1)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2499-Z-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS125AP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: 74LS125 QUAD BUS BUFFER GATESSPart Status: Active Packaging: Bulk |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HSS82-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: RECTIFIER DIODE, 0.15APackaging: Bulk |
на замовлення 6561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2485-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-TB-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 11528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SC5820WU-TL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNSupplier Device Package: CMPAK-4 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz Frequency - Transition: 20GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Power - Max: 100mW Gain: 17.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Bulk |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2425-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-T4-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SC945A-ND-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 19249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SC945A-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 111821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2480-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS139FPEL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXSPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-T2 | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 20935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SC945A(0)-T-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPNPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S954(YDK) | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 4072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S954-TB | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 9385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK2570ZL-TL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-T1 | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 30355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1S953-TB | Renesas Electronics Corporation |
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODEPackaging: Bulk |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| 2SK2869-91L | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3055-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3055(1)-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 100257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3060-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| M37160EFSS | Renesas Electronics Corporation |
Description: MCU, 8-BIT, FLASHPackaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| 2SK2869-92STR | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 5834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3109-Z-E1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 11824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SB772-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 266727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS20FP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HZ33BP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 8636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3107-T1-AT | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 16455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HZ33BPTK-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENERPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 66074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82TA-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: DO-35 Current - Average Rectified (Io): 200mA Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Mounting Type: Through Hole Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active |
на замовлення 20183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS174FP-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPSPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1614-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3105-T1B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL FETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS21P-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE AND DUAL 4-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82RE-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 68230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SS82TD-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE 200V 200MA DO35Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1614-T1-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-62 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
74LS27P-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INPPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1616A-T-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: NPN TRANSISTORPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 749200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
1SZ50-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: DIODE ZENER 0.25WPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3116B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| M37705E2ASS | Renesas Electronics Corporation |
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPUPackaging: Bulk Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
2SD1694-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 26690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1691-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 8570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3367-Z-E2-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3326(9)AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: DISCRETE / POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SD1695-AZ | Renesas Electronics Corporation |
Description: TRANS NPN DARL 35V 2A TO-126Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V Power - Max: 1.3 W |
на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| UPA2210T1M-T2-AT | Renesas Electronics Corporation |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
2SK3305B-S19-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
2SK3306B-S17-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 15495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
RJK0351DPA-02#J0 | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
HAT2050T-EL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 186103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| 1S953 |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
Description: HIGH SPEED SWITCHING DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 30 V
на замовлення 169417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2704+ | 8.38 грн |
| 2SK2462(04)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 135+ | 156.09 грн |
| 2SC5820WU-TL-H |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 20GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 20GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1159+ | 18.69 грн |
| 2SB1117-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 527+ | 39.27 грн |
| 74LS139P-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 307+ | 72.44 грн |
| 2SK2484(1)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL SWITCHING POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 263.33 грн |
| 2SK2499-Z-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 72+ | 287.34 грн |
| 74LS125AP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 74LS125 QUAD BUS BUFFER GATESS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Description: 74LS125 QUAD BUS BUFFER GATESS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 492+ | 44.64 грн |
| HSS82-E |
![]() |
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2830+ | 7.72 грн |
| 2SK2485-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 381.29 грн |
| 1S953-TB-AZ |
![]() |
на замовлення 11528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3245+ | 6.86 грн |
| 2SC5820WU-TL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 20GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Supplier Device Package: CMPAK-4
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1.8GHz
Frequency - Transition: 20GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 100mW
Gain: 17.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Bulk
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1159+ | 18.69 грн |
| 2SK2425-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 175.56 грн |
| 1S953-T4-AZ |
![]() |
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3245+ | 6.86 грн |
| 2SC945A-ND-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 19249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 111.99 грн |
| 2SC945A-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 111821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 111.99 грн |
| 2SK2480-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 230.42 грн |
| 74LS139FPEL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DUAL 2-TO-4-LINE DECODERS/DEMUXS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 59.66 грн |
| 1S953-T2 |
![]() |
на замовлення 20935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3245+ | 6.86 грн |
| 2SC945A(0)-T-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 188+ | 111.99 грн |
| 1S954(YDK) |
![]() |
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2704+ | 7.85 грн |
| 1S954-TB |
![]() |
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2704+ | 7.85 грн |
| 2SK2570ZL-TL-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 583+ | 35.13 грн |
| 1S953-T1 |
![]() |
на замовлення 30355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3245+ | 6.86 грн |
| 1S953-TB |
![]() |
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3245+ | 6.86 грн |
| 2SK2869-91L |
![]() |
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 123.52 грн |
| 2SK3055-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 193.18 грн |
| 2SK3055(1)-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 109+ | 193.18 грн |
| 2SK3060-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 499.76 грн |
| M37160EFSS |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MCU, 8-BIT, FLASH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU, 8-BIT, FLASH
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 3014.67 грн |
| 2SK2869-92STR |
![]() |
на замовлення 5834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 201+ | 110.75 грн |
| 2SK3109-Z-E1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 11824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 87+ | 242.17 грн |
| 2SB772-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 30V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 266727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 481+ | 43.40 грн |
| 74LS20FP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE NAND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 270+ | 75.36 грн |
| HZ33BP-E |
![]() |
на замовлення 8636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1107+ | 18.67 грн |
| 2SK3107-T1-AT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 791+ | 26.60 грн |
| HZ33BPTK-E |
![]() |
на замовлення 66074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1107+ | 18.67 грн |
| 1SS82TA-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: DO-35
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
на замовлення 20183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1572+ | 13.33 грн |
| 74LS174FP-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: HEX / QUAD D-TYPE FLIP-FLOPS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 202+ | 104.29 грн |
| 2SD1614-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1100+ | 21.37 грн |
| 2SK3105-T1B-A |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 410+ | 51.10 грн |
| 74LS21P-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE AND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE AND DUAL 4-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1015+ | 22.99 грн |
| 1SS82RE-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
на замовлення 68230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1581+ | 13.33 грн |
| 1SS82TD-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
Description: DIODE 200V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Capacitance @ Vr, F: 1.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 200 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 9.96 грн |
| 2SD1614-T1-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 20V 2A SC-62
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1082+ | 21.37 грн |
| 74LS27P-E |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IC GATE NOR TRPL 3-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 316+ | 64.49 грн |
| 2SD1616A-T-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 749200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 884+ | 23.80 грн |
| 1SZ50-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DIODE ZENER 0.25W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DIODE ZENER 0.25W
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 193.84 грн |
| 2SK3116B-S19-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 189.68 грн |
| M37705E2ASS |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: MCU6-BIT, UVPROM, MELPS7700 CPU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 2SD1694-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 26690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 346+ | 59.63 грн |
| 2SD1691-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 60V 5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 336+ | 62.44 грн |
| 2SK3367-Z-E2-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 217+ | 105.75 грн |
| 2SK3326(9)AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: DISCRETE / POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: DISCRETE / POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 313.62 грн |
| 2SD1695-AZ |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN DARL 35V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN DARL 35V 2A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 209.75 грн |
| UPA2210T1M-T2-AT |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 291+ | 72.26 грн |
| 2SK3305B-S19-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 222+ | 94.49 грн |
| 2SK3306B-S17-AY |
![]() |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 15495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 168.69 грн |
| RJK0351DPA-02#J0 |
![]() |
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 67.99 грн |
| HAT2050T-EL-E |
![]() |
на замовлення 186103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 325+ | 65.66 грн |



















